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电源

电源是将其它形式的能转换成电能的装置。电源自“磁生电”原理，由水力、风力、海潮、水坝水压差、太阳能等可再生能源，及烧煤炭、油渣等产生电力来源。常见的电源是干电池（直流电）与家用的110V-220V 交流电源

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“电源” 的日志

数字控制提高了直流-直流转换器的效率: 热度 1 xy123456 2019-7-13 15:20; 随着能源价格的上涨和各项“环保”计划的成功开展，私营公司和政府监管部门对电源制造商的要求逐渐提高。欧盟委员会（欧盟（EU）的执行机构）和美国环境保护署（EPA）对服务器电源的要求进一步升级，现已涵盖各种负载级别的效率以及待机功耗。服务器集群运营商也对电源制造商提出了类似要求。由于法规如此严格，并且还有许多法规即将出台，电源制造商正逐渐转向数字控制。在全数字解决方案中，完全可编程的数字信号控制器（Digital Signal Controller,DSC）可直接生成用于控制功率电路级的PWM 信号。同时，控制器还能处理系统管理任务，例如数据记录、通信和故障报告。这样，电源设计人员可以在DSC 中编写高级控制方法，而在模拟设计中，这即便可以实现也是极为困难的。设计人员可利用此功能灵活地实现最终客户所需的数据记录和通信标准。相移全桥（Phase-Shifted Full-Bridge,PSFB）拓扑是一种有潜力满足未来电源效率需求的直流-直流转换器。DSC 的灵活性使得不稳定的PSFB 拓扑更易于管理，并可实现进一步提高PSFB 效率的先进技术。移相全桥拓扑的必然性下面我们将讨论高频工作所必需的简单全桥拓扑，然后讨论效率提高策略。全桥转换器全桥转换器使用四个开关（Q1、Q2、Q3 和Q4）进行配置。对角开关Q1、Q4 和Q2、Q3 同时导通时，将在变压器的初级绕组上提供完整的输入电压（VIN）。在转换器每半个周期中，对角开关Q1 和Q4 或Q2 和Q3 导通，并且变压器的极性会在每半个周期中反转。在全桥转换器中，给定功率下的开关电流和初级电流与半桥转换器相比将减半。这种电流减少使得全桥转换器适用于高功率等级。但是，对角的开关采用硬开关，当其导通和关断时会导致较高的开关损耗。过去，由于合适的控制器尚未出现，电源工程师不得不使用效率较低的硬开关电源转换方法。这些方法的损耗随频率的增加而增加，因而限制了工作频率，进而限制了电源高效供电的能力。全桥转换器全桥转换器软开关全桥（PSFB）拓扑利用现有DSC,设计人员现在可考虑使用更高的工作频率来减少电源中磁性元件和滤波电容的数量。频率的升高会导致硬开关电源转换器（例如传统全桥转换器）中产生更高的开关损耗。一种较好的替代方案是选择相对复杂的软开关方法来减少开关损耗并提供较高的功率密度。 PSFB 转换器是一种软开关拓扑，使用寄生电容（例如MOSFET 和IGBT 等开关器件的输出电容）和变压器的漏电感来实现谐振转换。这种谐振转换可以使开关器件在接通时两端电压为零，从而消除其接通时的开关损耗。 PSFB 转换器已广泛用于转换器的功率密度和频率至关重要的电信和服务器应用中。PSFB 转换器的常规工作在许多文章中都有介绍，我们将在此基础上展示DSC 如何进一步提高性能。相移全桥转换器相移全桥转换器带传统同步MOSFET栅极驱动的相移全桥转换器为确保用户安全以及符合监管机构制定的规则，大多数直流-直流转换器设计有隔离变压器。额定值较高的电源在初级设计有PSFB 拓扑，在次级设计有全波同步整流器，以实现较高效率。在PSFB 转换器中，如果使用传统方法控制的同步MOSFET 配置，则MOSFET 的Q1、Q3 或Q2、Q4 应处于导通状态。此时，没有任何功率从初级传输到次级，并且MOSFET Q5 仍处于导通状态。由于转换器的次级侧存在电感（Lo），因此输出电感中的能量在MOSFET Q5 和变压器（Tx）的次级线圈之间循环。电流会通过MOSFET 的通道或通过MOSFET 的内部二级管持续流经变压器次级线圈。由于电流会从次级反射到初级，所以在初级的零状态（初级到次级无任何能量传输）期间将存在环流，这会导致转换器中出现损耗。与额定输入电压的情况相比，这些环流损耗在较高的电压下尤其明显。此外，为避免跨导，在Q5 和Q6 MOSFET 栅极驱动之间有意地引入一个死区。在此期间，任何同步MOSFET 均不会导通。因此，电流将流经MOSFET 内部二极管。与MOSFET 的Rds（ON）相比，这些MOSFET 内部二极管具有高正向压降，即（VF * I）》（I2rms*Rds（on））。通过叠加栅极驱动信号，可防止传统的同步栅极驱动中产生较高损耗，这将在下一部分中介绍。同步MOSFET 栅极驱动的传统配置同步MOSFET 栅极驱动的传统配置同步MOSFET 栅极驱动信号的叠加通过叠加同步MOSFET 的PWM 栅极驱动信号，可避免在变压器初级侧的零状态期间发生损耗。这将在以下三个方面提高电源效率。首先，在中心分接的全波整流器中，叠加同步MOSFET 的栅极驱动信号将消除变压器次级中心分接线圈中的磁通，这样在变压器次级和初级之间实际上不会有磁通。其次，两个同步MOSFET 和两个变压器中心分接线圈同时导通，而不是一个同步MOSFET 和一个中心分接变压器导通。因此，次级电流将只有一半的有效电阻，与只有一个同步MOSFET 导通的情况相比，损耗会降低一半。叠加同步MOSFET 栅极驱动信号以提高效率叠加同步MOSFET 栅极驱动信号以提高效率最后，在传统的开关方法中，有意引入的死区可能为开关周期的10%,并且在该死区期间，高次级电流将流经MOSFET 的高正向压降内部二极管。通过配置同步MOSFET 的PWM 栅极驱动信号叠加，高次级电流可流经MOSFET 通道。在这种情况下，将只有Rds（ON）损耗，其与死区中MOSFET 内部二极管导致的损耗相比非常小。对于具有电信输入（36 至76 VDC）的系统，通过叠加同步MOSFET 栅极驱动信号，直流-直流转换器的效率将提高3 - 4%. 实现这些技术需要灵活的具有完全独立PWM 输出的电源控制器。DSC（例如dsPIC? DSC）提供了灵活性以及PWM 外设，可轻松实现此技术和其他效率提升技术。结论 PSFB 拓扑具有实现现代电源所需效率的潜力。数字控制使设计人员能够非常精确地控制PSFB拓扑和实现高级控制技术（例如叠加同步MOSFET）。新拓扑、新技术及新理念正在推动电源进入二十一世纪。数字控制器（例如Microchip 的dsPIC? DSC）已经为未来的电源需求做好了准备。
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产生5V电压的低功耗电源芯片PN8368: 热度 3 liwei2019 2019-6-3 16:55; 每个电路板上都有电源芯片，不管是线性电源芯片，还是开关电源芯片，都是有损耗的。一般情况下，开关电源芯片的损耗要比线性电源芯片的损耗小的多，电源管理芯片的目的是提高效率，降低功耗以此来达到绿色环保的要求，为了发挥电子系统的最佳性能，选择最适合的电源管理芯片也变得尤为重要，骊微电子推荐一款低功耗效率高的开关电源芯片 PN8368 。开关电源芯片 PN8368 是一款应用于 5-12W 以内 AC/DC 超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器，内部集成超低待机功耗准谐振原边控制器及 650V 高雪崩能力智能功率 MOSFET ，恒压控制模式采用多模式控制方式，合理的兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内，采用独有的自适应补偿专利技术，输出过功率保护电具有很高的一致性，同时在通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。低功耗高效率电源芯片 PN8368 功能特点： 1. 内置 650V 高雪崩能力智能功率 MOSFET 2. 内置高压启动电路，小于 30mW 空载损耗（ 230VAC ） 3. 采用准谐振与多模式技术提高效率，满足 6 级能效标准 4. 全电压输入范围 ± 5% 的 CC/CV 精度 5. 原边反馈可省光耦和 TL431 6. 恒压、恒流、输出线补偿外部可调 7. 无需额外补偿电容 8. 无音频噪声 9. 智能保护功能低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力，更多高精度低功耗电源芯片方案请搜索骊微电子咨询了解更多。
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IMP811SEUS应用程序介绍: 热度 1 shuxia6699 2019-5-23 18:01; IMP811/IMP812低功耗设计主管监督电压水平的3.0v,3.3v和5.0v电源低功耗微处理器(P),单片机(C)和数字系统每一个功能防反跳手动复位输入IMP811/812是改善替代的格言MAX811/812与扩展温度规格105°C 发出复位信号,如果电源电压低于预设阈值和断言至少140毫秒后,供应已经上升重置阈值之上IMP811有校验输出复位这是保证在正确的状态VCC降至1.1v IMP812输出高电平复位重置比较器是设计在VCC忽略快速瞬变低功耗使得IMP811/IMP812适合使用便携式和电池供电设备在一个紧凑的4-pinSOT143包,设备使用最小板空间 IMP811SEUS应用程序 4-PinP电压超级e主管与手动Rh手动复位电脑和控制器嵌入式控制器蓄电池驱动的系统智能仪器无线通信系统 pda和手持设备 IMP811SEUS特征改进的格言MAX811/MAX812替换指定到105°C 新4.0v阈值的选择 6a供应电流监控5v,3.3v,3v供应手动复位输入 140ms分钟复位脉冲宽度保证了温度与1.1v电源的重置校验 IMP811SEUS(IMP811) 小4-pin说-143包没有外部组件供电transient-immune设计 IMP811SEUS销的配置 IMP811SEUS销终端电压对地面 VCC-0.3v至6.0v RESET,RESET和MR-0.3v(VCC+0.3v) InputCurrentVCCMR20马 OutputCurrent:RESETorRESET20马增长速度在VCC100v/s 功耗(TA=70°C)320兆瓦 (减免说-1434mw/°C以上70°C) 操作温度范围-40°C到105°C 存储温度范围-65°C到
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电源模块选哪家电源模块厂家优势特点介绍: 热度 1 hiecube 2019-5-23 11:03; 目前电源模块技术与市场已经成熟并健康稳定的发展。近两年来，厂家也越来越多，但是真正全方位提供电源模块的厂家并不多。从目前电源模块行业的发展来看，国内以北京和广州地区的电源模块厂家最为集中，质量和知名度也最大的。下面简单介绍一下：金升阳在电源模块行业是一个比较知名的企业，公司产品主要集中在低微功率的电源模块，在很多地方都有代理。高能立方公司产品主要以5-36W的产品为主，价格相对其它企业优惠一点，质量也有保证。从其网站也可以看出，企业注重品牌塑造，运营良好。国外知名电源模块厂家优势特点介绍 1、Vicro的产品主要用于高端，军工等方面，所以价格相对来说比较高，不过现在Vicro也在积极向下游市场发展，VICOR产品以可靠性高出名，技术在电源行业内遥遥领先，主要是以军工为主，目前正大力发展铁道电源，未来在通信上也许有比较大的发展空间。 2、Lambda和Cosel是日本排名第一，第二的电源模块厂家，跟TRACO产品市场区隔类似，所以很有可比性，他们进入国内较早，相比之下，比Traco知名度高的多，客户接受度也就高。 TDK-Lambda由于是大公司，在国内市场占有率较高，有很好的客户基础，民间用的人不少，质量也还不错，价格在工业级产品上最高。 3、Cosel：产品比较全，主要用于电力、工业、通讯等。高压输入产品比较强。性能稳定.所以质量还可以。 4、Traco的优势在于产品质量稳定，最早做细分市场模块电源，特别是在电力电气、机车、石油化工、医疗、通讯等方面有明显优势，主要是因为欧洲对质量、环境要求较严，要通过一系列认证。现在用户选择电源集中度比较低，较扩散，还没有一个厂家能在市场上占有绝对位置，在国内的尖端设备及用电源模块量最大的通信行业，国际品牌占据了绝对的市场份额，然而由于用户的市场竞争激烈，各项的成本增加，也导致国际品牌市场份额有所下滑。这给国内电源模块企业进一步扩大在国内高端市场创造了机会，其中通信行业在dc-dc电源模块这一块，给了国内厂家很好的机会。国内全面提倡国产化，加快了国内品牌的发展，也进一步的给国内电源模块品牌发展的机会。选择电源模块厂家，主要是考虑质量、价格、售后等因素。尽量考虑选择一些拥有自己生产线和品牌推广的公司，因为他们可以有效的控制产品的生产，可以最大限度的控制成本，售后反应也及时。这样无论在质量和售后、价格上都有一定的优势。
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光电耦合器HCPL-0600-500E应用程序介绍：: 热度 1 shuxia6699 2019-5-21 18:05; 描述；高CMR，高速TTL兼容光电耦合器； 6n137HCPL-26xx/06xx/4661,HCNW137/26x1 光耦合盖茨结合GaAsP发光二极管和一个集成的高增益光电探测器。一个允许输入允许探测器选通。探测器集成电路的输出是一个开放的收集器Schottkyclamped晶体管。内部保护提供了保证共模瞬态免疫规范15000V/sVcm=1000V。这个独特的设计提供了最大的AC和DC电路隔离而实现TTL兼容。光耦合器的交流和直流操作参数是保证从-40°C； HCPL-0600-500E应用程序隔离线接收器电脑周边接口微处理器系统接口数字隔离为A/D、D/A转换开关电源输入/输出隔离工具消除接地回路脉冲变压器更换在马达驱动器功率晶体管隔离高速逻辑系统的隔离 5000Vrms评级HCNW137/26X1和Opti/1分钟 6 n137、HCPL-26xx HCPL-06xx, hcpl - 4661, HCNW137, 和HCNW26x1适合高速逻辑接口, HCPL-0600-500E输入/输出缓冲,线接收器环境传统的线接收器不能容忍推荐用于极高地或感应噪声环境。 HCPL-0600-500E(http://www.dzsc.com/ic-detail/9_8240.html)特性 15千伏/s最低共模抑制(CMR) VCM=1kVHCNW2611,hcpl-2611,hcpl-4661, hcpl-0611,hcpl-0661 高速:10MBd典型 LSTTL/TTL兼容低输入电流能力:5mA 保证交流和直流性能在温度: -40°C+85°C 有倾斜,SOIC-8,宽体包 Strobable输出产品(单通道) 安全审批 UL认可-3750Vrms1分钟和5000年Vrms 1分钟/UL1577CSA批准 IEC/EN/DINEN60747-5-5批准 060年06xx选项VIORM=567Vpeak 060年VIORM=630Vpeak6n137/26xx选项 VIORM=1414VpeakHCNW137/26x1 mil-脉冲重复频率-38534密封的版本可用 (HCPL-56xx/66xx)
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低功耗小功率开关电源ic选型分析: 热度 1 liwei2019 2019-5-5 17:01; 开关电源它主要由两部分组成：功率级和控制级，功率级的主要任务是根据不同的应用场合及要求，选择不同的拓扑结构，同时兼顾半导体元件考虑设计成本；控制级的主要任务则是根据电路电信号选择合适的控制方式，目前的开关电源以 PWM 控制方式居多，选择开关电源 ic 不仅仅要考虑满足电路性能的要求及可靠性，还要考虑它的体积、重量、延长电池寿命及成本等问题下面给出一些选择基本原则以及推荐。 ①采用 LDO 的最佳条件：当要求输出电压中纹波、噪声特别小的场合，输入输出电压差不大，输出电流不大于 100mA 时采用微功耗、低压差 (LDO) 线性稳压器是最合适的，适合大多数便携式产品应用。 ②需负电源时尽量采用电荷泵：便携式仪器中往往需要负电源，由于所需电流不大，采用电荷泵 IC 组成电压反转电路最为简单，若要求噪声小或要求输出稳压时，可采用带 LDO 线性稳压器的电荷泵 IC 。 ③不要追求高精度、功能全的最新器件：开关电源 ic 的精度一般为± 2% ～± 4% ，精度高的可达± 0.5% ～± 1% ，要根据电路的要求选择合适的精度，这样可降低生产成本。功能较全的器件价格较高，所以无需关闭电源功能的或产品中无微处理器 ( μ P) 或微控制器 ( μ C) 的则无需选择带关闭电源功能或输出电源工作状态信号的器件，这样不仅可降低成本，并且尺寸更小。 ④不要“大马拉小车”：开关电源 ic 最主要的三个参数是，输入电压 VIN 、输出电压 Vo 及最大输出电流 Iomax 。根据产品的工作电流来选择：较合适的是工作电流最大值为电源 IC 最大输出电流 Iomax 的 70 ～ 90% 。骊微电子在 5V 开关电源 ic 方案上推荐典型的超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器制 IC ，例如：开关电源芯片 PN8368 。 PN8368 集成超低待机功耗准谐振原边控制器及 650V 高雪崩能力智能功率 MOSFET ，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。 PN8368 为原边反馈工作模式，可省略光耦和 TL431 。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（ 230VAC ）小于 30mW 。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足 6 级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过 CS 脚的 RCS 电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和 CS 开 / 短路保护等。 PN8368 开关电源 ic 产品特性 ■内置 650V 高雪崩能力智能功率 MOSFET ■内置高压启动电路，小于 30mW 空载损耗（ 230VAC ） ■采用准谐振与多模式技术提高效率，满足 6 级能效标准 ■全电压输入范围± 5% 的 CC/CV 精度 ■原边反馈可省光耦和 TL431 ■恒压、恒流、输出线补偿外部可调 ■无需额外补偿电容 ■无音频噪声 ■智能保护功能 — 过温保护 (OTP) —VDD 欠压过压保护 (UVLOOVP) — 逐周期过流保护 (OCP) —CS 开 / 短路保护 (CS O/SP ） — 开环保护 (OLP) 当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备，从产品设计，器件选择需求，牢靠性等方面来看： AC/DC 远比 DC/DC 复杂，难做，这是多年从事 AC/DC 电源研发的深切领会，骊微电子根据客户需求开发设计电源方案，低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并得到了非常好的市场效果和优良的行业信誉。
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AD9203ARUZ的操作如何?: 热度 1 shuxia6699 2019-3-26 21:17; 　　一般的描述　　AD8210是单电源,差分放大器的理想　　放大的小差动电压大的存在　　共模电压。操作输入共模　　电压范围从2 V + 65 V。典型的供应　　电压为5 V。　　AD8210提供一个SOIC包。操作　　温度范围是40°C + 125°C。　　优秀的交流和直流性能温度保持错误在测量循环降到最低。抵消漂移,并获得漂移是保证最多8μV / 20°C和ppm /°C,分别。　　输出偏置可以调整从0.05 V至4.9 V通过使用5 V供应VREF1销和VREF2销。与VREF1销连接到V +销和VREF2销连接接地销,输出是设置在规模的一半。　　将两个VREF1和VREF2单极接地会导致输出,开始附近的地面上。　　附加VREF1和VREF2 V +导致输出是单极,V +附近开始。其他补偿通过施加外部电压VREF1 VREF2。　　绝对最大额定参数下压力高于上市就可能对器件造成永久性伤害。　　这是一个压力评级;在这些或任何设备的功能操作其他条件高于表示在操作该规范的部分并不是暗示。　　暴露于绝对长时间会影响最大额定值条件设备的可靠性。　　AD9203ARUZ(http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2676.html)操作理论　　在典型的应用程序中,AD8210放大一个小差异　　输入电压产生的负载电流通过　　并联电阻。AD8210拒绝高共模电压　　(65 V)和提供了一个地面引用缓冲输出　　接口与一个模拟-数字转换器(ADC)。　　显示了一个简化的AD8210示意图。　　AD8210组成的两个主要模块,一个微分　　放大器和一个仪表放大器。一个负载电流流经外部分流电阻产生的电压　　AD8210的输入终端。　　AD9203ARUZ输入终端连接到差分放大器由R1和R2 (A1)。A1零位电压出现在自己的输入终端调整当前通过R1和R2 Q1和Q2。　　当输入信号到AD8210是0 V, R1的电流和R2是相等的。　　当微分信号非零,通过一个电阻的电流增加和减少另一个。当前不同大小和成正比输入信号的极性。　　差动电流通过Q1和Q2转换R3和R4为差动电压。A2的配置仪表放大器。　　差动电压转换单端输出电压通过A2。增益是在内部设置与precision-trimmed,薄膜电阻20 V / V。　　输出参考电压很容易调整VREF1销和VREF2销。在一个典型的配置,VREF1连接VCC而VREF2连接到接地。　　在这种情况下,输出集中在VCC / 2,当输入信号为0 V。　　操作模式单向或双向的AD8210可以调整操作。　　AD9203ARUZ单向操作　　单向操作允许AD8210措施电流通过电阻并联在一个方向上。基本地面被引用为单向操作模式输出模式和V +引用输出模式。　　在单向操作,输出可以设置在负的铁路(近地面)或积极的铁路(V +)附近差分输入为0 V。　　输出移动相反的铁路一个正确的极性差分输入电压时。在这种情况下,全面大约250 mV。　　所需的极性的差分输入依赖于输出电压设置。　　如果输出设置在地面,极性需要积极将输出。如果输出设置在积极的铁路,输入需要负极性输出向下移动。　　地面参考输出当使用AD8210在这种模式下,两个参考输入与地面,导致输出负坐吗铁路在差动输入电压为零。　　V +引用输出这种模式被设置时参考别针都相关积极的供给。它通常用在当诊断方案需要检测的放大器和权力是之前布线应用于负载。　　AD9203ARUZ双向操作　　双向操作允许AD8210测量电流通过一个电阻并联在两个方向。输出偏置可以设置输出范围内任何地方。　　通常,它是集一半规模相等的两个方向的测量范围。在然而,某些情况下,它被设置在一个电压其他规模的一半当双向电流不对称。　　应用程序　　电流传感　　电机控制　　传输控制　　柴油喷射控制　　引擎管理　　悬架控制　　车辆动态控制　　DC-to-dc转换器　　AD9203ARUZ特性　　±4000 V HBM防静电　　高共模电压范围　　2 V + 65 V操作　　5 V + 68 V的生存　　缓冲的输出电压　　5 mA输出驱动能力　　宽工作温度范围:40°C + 125°C 　　比率计大小输出抵消　　优秀的交流和直流性能　　1μV /°C典型抵消漂移　　10 ppm /°C典型增益漂移　　120分贝典型CMRR直流　　80分贝典型CMRR 100千赫　　可以在8-lead SOIC
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充电IC选型表_磷酸铁线性代保护锂电池充电IC: 热度 1 zeng5240 2018-9-6 15:59; 本公司还配套齐全的车灯IC方案有意咨询者联系13410492646 QQ: 3004825478 概述: AP6113是一款专门为高精度的线性锂电池充电器而设计的电路，非常适合那些低成本、便携式的充电器使用。它集高精度预充电、恒定电流充电、恒定电压充电、电池状态检测、充电结束低泄漏、充电状态指示等性能于一身，可以广泛地使用于 EPC、移动多媒体、手持设备等领域。 AP6113通过检测电池电压来决定其充电状态：预充电、恒流充电、恒压充电。当电池电压小于阈值电压 V MIN （一般为9V）时，处于预充电状态，以较小的电流对电池进行充电，预充电的电流可以通过外部电阻进行调整。预充电使电池电压达到 V MIN 后，进入恒定电流充电的快速充电状态，充电电流 I REG 可以通过外围电阻 R1 调整，恒定电流充电使电池电压上升到恒定电压充电电压V REG （一般为 12.6V）。然后进入恒定电压充电状态，充电电压的精度优于±1%，在该状态下，充电电流将逐渐减小，当充电电流小于阈值 I TERM ，充电结束。充电结束后，将始终对电池电压进行监控，当电池电压小于阈值 V RECHG （一般为 V REG －200mV）时，对电池进行再充电，进入下一个充电周期。 AP6113还可以通过调节外围电阻来提高电池饱和结束电压，可以设到需要的电压点， LED驱动芯片特点: 1： 12.6V 三节锂离子或锂聚合物电池充电器的理想控制电路； 2：高于 1% 的电压精度； 3：恒定电流充电，充电电流可调 4：恒定电压充电过程 5：自动再充电过程 6：电池饱和结束电压可调 7：双 LED 充电状态指示 8：电池不正常状态的检测 9：电源电压低时，处于低功耗的 Sleep 模式，电池漏电流极小 10：极少的外围元器件 11：小型化的 SOP8 封装 AP6154线性锂电池充电IC+防反接+过压保护+短路保护描述: AP6154是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器。其SOT封装与较少的外部元件数目使得 AP6154 成为便携式应用的理想选择。 AP6154 可以适合USB电源和适配器电源工作。 AP6154由于采用了内部架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定于，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值时， AP6154 将自动终止充电循环。当输入电压（交流适配器或电源IC ）被拿掉时， AP6154 自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至 1UA 以下。也可将 AP6154 置于停机模式，以而将供电电流降至25UA。AP6154 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。特点: 1:锂电池正负极反接保护功能 2:输出端短路保护，将供电电流降至为0 3:输入电源电压过压芯片关断保护 4:高达 700mA 的可编程充电电流 5:无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管 6:用于单节锂离子电池、采用封装的完整线性充电器 7: 恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能 8:精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压 9:自动再充电 10: 充电状态输出引脚 11: C/10 充电终止 12: 待机模式下的供电电流为 25uA 13: 2.9V涓流充电器件版本 14: 采用 5 引脚 SOT-23 封装 AP6155线性锂电池充电IC+防反接+过压保护+短路保护描述: AP6155是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流 /恒定电压线性充电器。其SOT封装与较少的外部元件数目使得 AP6155 成为便携式应用的理想选择。 AP6155 可以适合USB电源和适配器电源工作由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定于，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值时， AP6155 将自动终止充电循环。当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时， AP6155 自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至1UA以下。也可将 AP6155 置于停机模式，以而将供电电流降至25UA。AP6155 的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。特点: 1：锂电池正负极反接保护功能 2：输出端短路保护，将供电电流降至为0 3：输入电源电压过压芯片关断保护 4：高达 700mA 的可编程充电电流 5：无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管 6：用于单节锂离子电池、采用封装的完整线性充电器 7：恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能 8：精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压 9：自动再充电 10：充电状态输出引脚 11： C/10 充电终止 12：待机模式下的供电电流为 25uA 13： 2.9V涓流充电器件版本 14：采用 6 引脚 SOT-23 封装 AP6156是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器。其底部带有散热片的SOP8封装与较少的外部元件数目使得AP6156成为便携式应用的理想选择。AP6156可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定于4.2V ，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值 1/10 时， AP6156 将自动终止充电循环。当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时，AP6156自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至 1UA以下。AP6156在有电源时也可置于停机模式，以而将供电电流降至55UA 。AP6156的其他特点包括欠压闭锁、自动再充电和两个用于指示充电、结束的LED状态引脚。特点: 1：锂电池正负极反接保护功能 2：输出端短路保护，将供电电流降至为0电流 3：输入电源电压过压保护 4：高达 1000mA 的可编程充电电流 5：无需、检测电阻器或隔离二极管 6：用于单节锂离子可充电电池充电 7：恒压充电电压精度达到±1%的 4.2V 8：恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能 9：为了激活深度放电的电池和减小功耗，在电池电压较低时采用小电流的预充电模式 10：充电状态和双充电结束状态双指示输出 11：电源电压掉电时自动进入低功耗的睡眠模式 12：自动再充电 13： C/10 充电终止 14：采用 8 引脚 SOP-PP封装。 AP6166线性锂电池充电IC+防反接+过压保护+短路保护+稳定空载电压描述: AP6166是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器。其底部带有散热片的SOP8封装与较少的外部元件数目使得AP6166成为便携式应用的理想选择。AP6166可以适合USB电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压始于4.2V ，也可以通过外围电阻调节。而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值1/10 时，AP6166将自动终止充电循环。当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时，AP6166自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至 1UA以下。AP6166在有电源时也可置于停机模式，以而将供电电流降至55UA以下。 AP6166的其他特点包括欠压闭锁、自动再充电和两个用于指示充电、结束的LED状态引脚。特点: 1:锂电池正负极反接保护功能 2:输出端短路保护，将供电电流降至为0电流 3:输入电源电压过压保护 4:高达 1000mA 的可编程充电电流 5:无需、检测电阻器或隔离二极管 6:用于单节锂离子可充电电池充电 7：恒压充电电压4.2V，也可通过一个外部电阻调节 8：恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能 9：为了激活深度放电的电池和减小功耗，在电池电压较低时采用小电流的预充电模式 10：充电状态和充电结束状态双指示输出 11：电源电压掉电时自动进入低功耗的睡眠模式 12：自动再充电 13：C/10 充电终止 14：采用 8 引脚 SOP-PP封装。 AP6299大电流磷酸铁锂电池充电IC加防反接功能概述: AP6299是可以对单节磷酸铁锂电池进行恒流/恒压充电管理的集成电路。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。AP6299只需要极少的外围元器件，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为3.6V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压（交流适配器或者USB电源）掉电时，AP6299自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于 3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。AP6299采用散热增强型的管脚小外形封装(SOP8) 特点: 1:锂电池正负极反接保护功能 2:输出端短路保护，短路后芯片自动停止工作 3:独立的单节磷酸铁锂电池充电管理 4:输入电压范围：4.0v到9.0V 5：片内功率晶体管 6：不需要外部阻流二极管和电流检测电阻 7：恒压充电电压，也可通过一个外部电阻调节 8：为了激活深度放电的电池和减小功耗，在电池电压较低时采用小电流的预充电模式 9：可设置的持续恒流充电电流可达1A 10：采用恒流/恒压/恒温模式充电，既可以使充电电流最大化，又可以防止芯片过热 11：电源电压掉电时自动进入低功耗的睡眠模式 12：充电状态和充电结束状态双指示输出 13：C/10充电结束检测 14：自动再充电 15：散热增强型管脚小外形封装（SOP8） 16:产品无铅，满足，不含卤素 2A多节开关型锂电池充电器 AP6305 概述: AP6305是一款具有涓流，恒流，恒压充电模式的锂电池充电控制芯片，可以分别给单节（4.2V/4.35V），双节（8.4V/8.7V）锂电池或三节（12.6V/13.05V）锂电池进行快速高效地充电。AP6305 具备较宽的输入电源范围，工作在 450KHz 的开关频率下，采用电流模式 PWM降压型开关结构，为锂电池快速充电提供了微型、简单且高效的解决方案。 AP6305 由外部Sense 电阻设定充电电流的大小，电流精度达到±10%以内；内部由分压电阻和精准的参考电压将每节电池的浮充电压设定 4.2V/4.35V（单节），8.4V 或 8.7V（双节）12.6V 或 13.05V （三节）同时具有高达±1%的精度。内部含有定时器设定涓流充电时间和电流模式充电时间。当充电结束后，如果电池电压降到比浮充电压低大约 3.5%时，控制器自动重新对电池进行充电。当输入电源去掉之后，芯片自动进入休眠模式。芯片有对电池温度进行实时检测功能，具备自恢复功能。特点: 1:宽范围电源电压： 6V~20V－4.2V版或4.35V版 8.9V~20V－8.4V版或8.7V版 15V~20V－12.6V版或13.05V版 2：高效电流模式PWM控制结构450KHz开关频率 3：高达2A的充电电流 4：充电结束时电流检测输出 5：3小时充电终止定时器 6： ±1% 的充电电压精度 7： ±10% 的充电电流精度 8：防倒灌电流低至9μA 9：自动给电池再充电 10：电池电压较低时自动进入涓流充电模式 11：输入电源去除自动进入休眠模式 12：电池温度检测 13：采用低ESR的陶瓷电容输出稳定电子IC 14：SOP8封装 1 节 2A开关型锂电池充电器 AP6306 概述: AP6306是一款具有恒流恒压充电模式的锂电池充电管理芯片。可以对单节（4.2V/4.34）锂电池进行快速高效地充电。其采用电流模式 PWM 降压型开关控制结构，为锂电池快速充电提供了微型、简单且高效的解决方案。 AP6306内置防倒灌功能，所以实际应用不需要输入端接二极管防倒灌。大大降低了系统成本。芯片内置过压保护功能，当芯片的 VIN 电压超过 6V 之后，芯片关闭，此时芯片的 VIN 端可耐压 10V。 AP6306 由外部Sense 电阻设定出高精度的充电电流，内部由分压电阻和精准的参考电压将电池的浮充电压设定在 4.2V/4.34V 同时具有高达±1%的精度。当输入电源去掉后，芯片会自动进入低电流休眠模式，电池的漏电流低至 1μA。当充电周期结束后，如果单节电池电压降到4.1V/4.15V 后，芯片将自动重新对电池进行充电特点: 1：输入电源电压工作范围：4.7V-5.5V 2：内置防倒灌功能 3：内置过压保护，芯片输入端耐压10V 4：内置软启动，防止上电瞬间的大电流过冲 5：高效电流模式PWM降压型开关控制结构 6：充电结束时电流检测输出 7：采用固定开关频率以保证最小的噪声 8：±1%的充电电压（4.2V/4.34V）精度 9：自动再充电 10：输入电源去除自动进入休眠模式 11：电池电压较低时自动进入涓流充电模式 12：采用低ESR的陶瓷电容输出稳定 13：电池温度检测本公司还配套齐全的车灯IC方案有意咨询者联系13410492646 QQ: 3004825478
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全志AXP209电源管理芯片: sunnyqi001 2018-7-20 11:53; AXP209 电源管理芯片是全志旗下的一款，常与全志主控 A20 A33 等搭配使用。 AXP209 被设计成一个高度集成的电力系统管理芯片，为实现单极电池（ LI 离子 / 聚合物）和多输出 DC-DC 转换器的应用 . 在外部的 A- 适配器、锂电池和应用系统负载中，当没有电池 ( 例如，严重损坏 / 有缺陷的电池 ) ，只有外部输入电源的时候，它仍然可以正常工作。 AXP209 从三种不同的电源（单电池锂电子电池， USB 端口和 A- 适配器）提供了一个小而简单的解决方案。它还可以支持可充电的备用电池。为了确保与广泛的系统处理器的兼容性， AXP209 使用了双线串行接口（ TWSI ），通过该接口应用程序处理器可以使用电源启用 / 失效，编程电压、访问内部寄存器以及测量数据。 AXP209 的封装图如下： AXP209 的典型应用图如下： AXP209 的功能框图如下：关键字： AXP209 电源管理芯片全志
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拿走不谢！268条PCB Layout设计规范全收录！: 热度 5 射频工程师 2016-9-10 14:51; 拿走不谢！268条PCB Layout设计规范全收录！按部位分类技术规范内容 1 PCB布线与布局 PCB布线与布局隔离准则：强弱电流隔离、大小电压隔离，高低频率隔离、输入输出隔离、数字模拟隔离、输入输出隔离，分界标准为相差一个数量级。隔离方法包括：空间远离、地线隔开。 2 PCB布线与布局晶振要尽量靠近IC，且布线要较粗 3 PCB布线与布局晶振外壳接地 4 PCB布线与布局时钟布线经连接器输出时，连接器上的插针要在时钟线插针周围布满接地插针 5 PCB布线与布局让模拟和数字电路分别拥有自己的电源和地线通路，在可能的情况下，应尽量加宽这两部分电路的电源与地线或采用分开的电源层与接地层，以便减小电源与地线回路的阻抗，减小任何可能在电源与地线回路中的干扰电压 6 PCB布线与布局单独工作的PCB的模拟地和数字地可在系统接地点附近单点汇接，如电源电压一致，模拟和数字电路的电源在电源入口单点汇接，如电源电压不一致，在两电源较近处并一1~2nf的电容，给两电源间的信号返回电流提供通路 7 PCB布线与布局如果PCB是插在母板上的，则母板的模拟和数字电路的电源和地也要分开，模拟地和数字地在母板的接地处接地，电源在系统接地点附近单点汇接，如电源电压一致，模拟和数字电路的电源在电源入口单点汇接，如电源电压不一致，在两电源较近处并一1~2nf的电容，给两电源间的信号返回电流提供通路 8 PCB布线与布局当高速、中速和低速数字电路混用时，在印制板上要给它们分配不同的布局区域 9 PCB布线与布局对低电平模拟电路和数字逻辑电路要尽可能地分离 10 PCB布线与布局多层印制板设计时电源平面应靠近接地平面，并且安排在接地平面之下。 11 PCB布线与布局多层印制板设计时布线层应安排与整块金属平面相邻 12 PCB布线与布局多层印制板设计时把数字电路和模拟电路分开，有条件时将数字电路和模拟电路安排在不同层内。如果一定要安排在同层，可采用开沟、加接地线条、分隔等方法补救。模拟的和数字的地、电源都要分开，不能混用 13 PCB布线与布局时钟电路和高频电路是主要的干扰和辐射源，一定要单独安排、远离敏感电路 14 PCB布线与布局注意长线传输过程中的波形畸变 15 PCB布线与布局减小干扰源和敏感电路的环路面积，最好的办法是使用双绞线和屏蔽线，让信号线与接地线（或载流回路）扭绞在一起，以便使信号与接地线（或载流回路）之间的距离最近 16 PCB布线与布局增大线间的距离，使得干扰源与受感应的线路之间的互感尽可能地小 17 PCB布线与布局如有可能，使得干扰源的线路与受感应的线路呈直角（或接近直角）布线，这样可大大降低两线路间的耦合 18 PCB布线与布局增大线路间的距离是减小电容耦合的最好办法 19 PCB布线与布局在正式布线之前，首要的一点是将线路分类。主要的分类方法是按功率电平来进行，以每30dB功率电平分成若干组 20 PCB布线与布局不同分类的导线应分别捆扎，分开敷设。对相邻类的导线，在采取屏蔽或扭绞等措施后也可归在一起。分类敷设的线束间的最小距离是50~75mm 21 PCB布线与布局电阻布局时，放大器、上下拉和稳压整流电路的增益控制电阻、偏置电阻（上下拉）要尽可能靠近放大器、有源器件及其电源和地以减轻其去耦效应（改善瞬态响应时间）。 22 PCB布线与布局旁路电容靠近电源输入处放置 23 PCB布线与布局去耦电容置于电源输入处。尽可能靠近每个IC 24 PCB布线与布局 PCB基本特性阻抗：由铜和横切面面积的质量决定。具体为：1盎司0.49毫欧/单位面积电容：C=EoErA/h，Eo：自由空间介电常数，Er：PCB基体介电常数，A：电流到达的范围，h：走线间距电感：平均分布在布线中，约为1nH/m 盎司铜线来讲，在0.25mm(10mil)厚的FR4碾压下，位于地线层上方的）0.5mm宽，20mm长的线能产生9.8毫欧的阻抗，20nH的电感及与地之间1.66pF的耦合电容。 25 PCB布线与布局 PCB布线基本方针：增大走线间距以减少电容耦合的串扰；平行布设电源线和地线以使PCB电容达到最佳；将敏感高频线路布设在远离高噪声电源线的位置；加宽电源线和地线以减少电源线和地线的阻抗； 26 PCB布线与布局分割：采用物理上的分割来减少不同类型信号线之间的耦合，尤其是电源与地线 27 PCB布线与布局局部去耦：对于局部电源和IC进行去耦，在电源输入口与PCB之间用大容量旁路电容进行低频脉动滤波并满足突发功率要求，在每个IC的电源与地之间采用去耦电容，这些去耦电容要尽可能接近引脚。 28 PCB布线与布局布线分离：将PCB同一层内相邻线路之间的串扰和噪声耦合最小化。采用3W规范处理关键信号通路。 29 PCB布线与布局保护与分流线路：对关键信号采用两面地线保护的措施，并保证保护线路两端都要接地 30 PCB布线与布局单层PCB：地线至少保持1.5mm宽，跳线和地线宽度的改变应保持最低 31 PCB布线与布局双层PCB：优先使用地格栅/点阵布线，宽度保持1.5mm以上。或者把地放在一边，信号电源放在另一边 32 PCB布线与布局保护环：用地线围成一个环形，将保护逻辑围起来进行隔离 33 PCB布线与布局 PCB电容：多层板上由于电源面和地面绝缘薄层产生了PCB电容。其优点是据有非常高的频率响应和均匀的分布在整个面或整条线上的低串连电感。等效于一个均匀分布在整板上的去耦电容。 34 PCB布线与布局高速电路和低速电路：高速电路要使其接近接地面，低速电路要使其接近于电源面。地的铜填充：铜填充必须确保接地。 35 PCB布线与布局相邻层的走线方向成正交结构，避免将不同的信号线在相邻层走成同一方向，以减少不必要的层间窜扰；当由于板结构限制（如某些背板）难以避免出现该情况，特别是信号速率较高时，应考虑用地平面隔离各布线层，用地信号线隔离各信号线； 36 PCB布线与布局不允许出现一端浮空的布线，为避免“天线效应”。 37 PCB布线与布局阻抗匹配检查规则：同一网格的布线宽度应保持一致，线宽的变化会造成线路特性阻抗的不均匀，当传输的速度较高时会产生反射，在设计中应避免这种情况。在某些条件下，可能无法避免线宽的变化，应该尽量减少中间不一致部分的有效长度。 38 PCB布线与布局防止信号线在不同层间形成自环，自环将引起辐射干扰。 39 PCB布线与布局短线规则：布线尽量短，特别是重要信号线，如时钟线，务必将其振荡器放在离器件很近的地方。 40 PCB布线与布局倒角规则：PCB设计中应避免产生锐角和直角，产生不必要的辐射，同时工艺性能也不好，所有线与线的夹角应大于135度 41 PCB布线与布局滤波电容焊盘到连接盘的线线应采用0.3mm的粗线连接，互连长度应≤1.27mm。 42 PCB布线与布局一般情况下，将高频的部分设在接口部分，以减少布线长度。同时还要考虑到高/低频部分地平面的分割问题，通常采用将二者的地分割，再在接口处单点相接。 43 PCB布线与布局对于导通孔密集的区域，要注意避免在电源和地层的挖空区域相互连接，形成对平面层的分割，从而破坏平面层的完整性，并进而导致信号线在地层的回路面积增大。 44 PCB布线与布局电源层投影不重叠准则：两层板以上（含）的PCB板，不同电源层在空间上要避免重叠，主要是为了减少不同电源之间的干扰，特别是一些电压相差很大的电源之间，电源平面的重叠问题一定要设法避免，难以避免时可考虑中间隔地层。 45 PCB布线与布局 3W规则：为减少线间窜扰，应保证线间距足够大，当线中心距不少于3倍线宽时，则可保持70%的电场不互相干扰，如要达到98%的电场不互相干扰，可使用10W规则。 46 PCB布线与布局 20H准则：以一个H(电源和地之间的介质厚度)为单位，若内缩20H则可以将70%的电场限制在接地边沿内，内缩1000H则可以将98%的电场限制在内。 47 PCB布线与布局五五准则：印制板层数选择规则，即时钟频率到5MHZ或脉冲上升时间小于5ns，则PCB板须采用多层板，如采用双层板，最好将印制板的一面做为一个完整的地平面 48 PCB布线与布局混合信号PCB分区准则：1将PCB分区为独立的模拟部分和数字部分；2将A/D转换器跨分区放置；3不要对地进行分割，在电路板的模拟部分和数字部分下面设统一地；4在电路板的所有层中，数字信号只能在电路板的数字部分布线，模拟信号只能在电路板的模拟部分布线；5实现模拟电源和数字电源分割；6布线不能跨越分割电源面之间的间隙；7必须跨越分割电源之间间隙的信号线要位于紧邻大面积地的布线层上；8分析返回地电流实际流过的路径和方式； 49 PCB布线与布局多层板是较好的板级EMC防护设计措施，推荐优选。 50 PCB布线与布局信号电路与电源电路各自独立的接地线，最后在一点公共接地，二者不宜有公用的接地线。 51 PCB布线与布局信号回流地线用独立的低阻抗接地回路，不可用底盘或结构架件作回路。 52 PCB布线与布局在中短波工作的设备与大地连接时，接地线1/4λ；如无法达到要求，接地线也不能为1/4λ的奇数倍。 53 PCB布线与布局强信号与弱信号的地线要单独安排，分别与地网只有一点相连。 54 PCB布线与布局一般设备中至少要有三个分开的地线：一条是低电平电路地线（称为信号地线），一条是继电器、电动机和高电平电路地线（称为干扰地线或噪声地线）；另一条是设备使用交流电源时，则电源的安全地线应和机壳地线相连，机壳与插箱之间绝缘，但两者在一点相同，最后将所有的地线汇集一点接地。断电器电路在最大电流点单点接地。f1MHz时，一点接地；f10MHz时，多点接地；1MHzf10MHz时，若地线长度1/20λ，则一点接地，否则多点接地。 55 PCB布线与布局避免地环路准则：电源线应靠近地线平行布线。 56 PCB布线与布局散热器要与单板内电源地或屏蔽地或保护地连接（优先连接屏蔽地或保护地），以降低辐射干扰 57 PCB布线与布局数字地与模拟地分开，地线加宽 58 PCB布线与布局对高速、中速和低速混用时，注意不同的布局区域 59 PCB布线与布局专用零伏线，电源线的走线宽度≥1mm 60 PCB布线与布局电源线和地线尽可能靠近，整块印刷板上的电源与地要呈“井”字形分布，以便使分布线电流达到均衡。 61 PCB布线与布局尽可能有使干扰源线路与受感应线路呈直角布线 62 PCB布线与布局按功率分类，不同分类的导线应分别捆扎，分开敷设的线束间距离应为50～75mm。 63 PCB布线与布局在要求高的场合要为内导体提供360°的完整包裹，并用同轴接头来保证电场屏蔽的完整性 64 PCB布线与布局多层板：电源层和地层要相邻。高速信号应临近接地面，非关键信号则布放为靠近电源面。 65 PCB布线与布局电源：当电路需要多个电源供给时，用接地分离每个电源。 66 PCB布线与布局过孔：高速信号时，过孔产生1-4nH的电感和0.3-0.8pF的电容。因此，高速通道的过孔要尽可能最小。确保高速平行线的过孔数一致。 67 PCB布线与布局短截线：避免在高频和敏感的信号线路使用短截线 68 PCB布线与布局星形信号排列：避免用于高速和敏感信号线路 69 PCB布线与布局辐射型信号排列：避免用于高速和敏感线路，保持信号路径宽度不变，经过电源面和地面的过孔不要太密集。 70 PCB布线与布局地线环路面积：保持信号路径和它的地返回线紧靠在一起将有助于最小化地环 71 PCB布线与布局一般将时钟电路布置在PCB板接受中心位置或一个接地良好的位置，使时钟尽量靠近微处理器，并保持引线尽可能短，同时将石英晶体振荡只有外壳接地。 72 PCB布线与布局为进一步增强时钟电路的可靠性，可用地线找时钟区圈起隔离起来，在晶体振荡器下面加大接地的面积，避免布其他信号线； 73 PCB布线与布局元件布局的原则是将模拟电路部分与数字电路部分分工、将高速电路和低速电路分工，将大功率电路与小信号电路分工，、将噪声元件与非噪声元件分工，同时尽量缩短元件之间的引线，使相互间的干扰耦合达到最小。 74 PCB布线与布局电路板按功能进行分区，各分区电路地线相互并联，一点接地。当电路板上有多个电路单元时，应使各单元有独立的地线回各，各单元集中一点与公共地相连,单面板和双面板用单点接电源和单点接地. 75 PCB布线与布局重要的信号线尽量短和粗,并在两侧加上保护地，信号需要引出时通过扁平电缆引出，并使用“地线—信号—地线”相间隔的形式。 76 PCB布线与布局 I/O接口电路及功率驱动电路尽量靠近印刷板边缘 77 PCB布线与布局除时钟电路此，对噪声敏感的器件及电路下面也尽量避免走线。 78 PCB布线与布局当印刷电路板期有PCI、ISA等高速数据接口时，需注意在电路板上按信号频率渐进布局，即从插槽接口部位开始依次布高频电路、中等频率电路和低频电路，使易产生干扰的电路远离该数据接口。 79 PCB布线与布局信号在印刷线路上的引线越短越好，最长不宜超过25cm，而且过孔数目也应尽量少。 80 PCB布线与布局在信号线需要转折时，使用45度或圆弧折线布线，避免使用90度折线，以减小高频信号的反射。 81 PCB布线与布局布线时避免90度折线，减少高频噪声发射 82 PCB布线与布局注意晶振布线。晶振与单片机引脚尽量靠近，用地线把时钟区隔离起来，晶振外壳接地并固定 83 PCB布线与布局电路板合理分区，如强、弱信号，数字、模拟信号。尽可能把干扰源（如电机，继电器）与敏感元件（如单片机）远离 84 PCB布线与布局用地线把数字区与模拟区隔离，数字地与模拟地要分离，最后在一点接于电源地。A/D、D/A芯片布线也以此为原则，厂家分配A/D、D/A芯片引脚排列时已考虑此要求 85 PCB布线与布局单片机和大功率器件的地线要单独接地，以减小相互干扰。大功率器件尽可能放在电路板边缘 86 PCB布线与布局布线时尽量减少回路环的面积，以降低感应噪声 87 PCB布线与布局布线时，电源线和地线要尽量粗。除减小压降外，更重要的是降低耦合噪声 88 PCB布线与布局 IC器件尽量直接焊在电路板上，少用IC座 89 PCB布线与布局参考点一般应设置在左边和底边的边框线的交点(或延长线的交点)上或印制板的插件上的第一个焊盘。 90 PCB布线与布局布局推荐使用25mil网格 91 PCB布线与布局总的连线尽可能的短，关键信号线最短 92 PCB布线与布局同类型的元件应该在X或Y方向上一致。同一类型的有极性分立元件也要力争在X或Y方向上一致，以便于生产和调试； 93 PCB布线与布局元件的放置要便于调试和维修，大元件边上不能放置小元件，需要调试的元件周围应有足够的空间。发热元件应有足够的空间以利于散热。热敏元件应远离发热元件。 94 PCB布线与布局双列直插元件相互的距离要2mm。BGA与相临器件距离5mm。阻容等贴片小元件相互距离0.7mm。贴片元件焊盘外侧与相临插装元件焊盘外侧要2mm。压接元件周围5mm内不可以放置插装元器件。焊接面周围5mm内不可以放置贴装元件。 95 PCB布线与布局集成电路的去耦电容应尽量靠近芯片的电源脚，高频最靠近为原则。使之与电源和地之间形成回路最短。 96 PCB布线与布局旁路电容应均匀分布在集成电路周围。 97 PCB布线与布局元件布局时，使用同一种电源的元件应考虑尽量放在一起，以便于将来的电源分割。 98 PCB布线与布局用于阻抗匹配目的的阻容器件的放置，应根据其属性合理布局。 99 PCB布线与布局匹配电容电阻的布局要分清楚其用法，对于多负载的终端匹配一定要放在信号的最远端进行匹配。 100 PCB布线与布局匹配电阻布局时候要靠近该信号的驱动端，距离一般不超过500mil。 101 PCB布线与布局调整字符，所有字符不可以上盘，要保证装配以后还可以清晰看到字符信息，所有字符在X或Y方向上应一致。字符、丝印大小要统一。 102 PCB布线与布局关键信号线优先：电源、模拟小信号、高速信号、时钟信号和同步信号等关键信号优先布线； 103 PCB布线与布局环路最小规则：即信号线与其回路构成的环面积要尽可能小，环面积要尽可能小，环面积越小，对外的辐射越少，接收外界的干扰也越小。在双层板设计中，在为电源留下足够空间的情况下，应该将留下的部分用参考地填充，且增加一些必要的过孔，将双面信号有效连接起来，对一些关键信号尽量采用地线隔离，对一些频率较高的设计，需特别考虑其他平面信号回路问题，建议采用多层板为宜。 104 PCB布线与布局接地引线最短准则：尽量缩短并加粗接地引线（尤其高频电路）。对于在不同电平上工作的电路，不可用长的公共接地线。 105 PCB布线与布局内部电路如果要与金属外壳相连时，要用单点接地，防止放电电流流过内部电路 106 PCB布线与布局对电磁干扰敏感的部件需加屏蔽，使之与能产生电磁干扰的部件或线路相隔离。如果这种线路必须从部件旁经过时，应使用它们成90°交角。 107 PCB布线与布局布线层应安排与整块金属平面相邻。这样的安排是为了产生通量对消作用 108 PCB布线与布局在接地点之间构成许多回路，这些回路的直径（或接地点间距）应小于最高频率波长的1/20 109 PCB布线与布局单面或双面板的电源线和地线应尽可能靠近，最好的方法是电源线布在印制板的一面，而地线布在印制板的另一面，上下重合，这会使电源的阻抗为最低 110 PCB布线与布局信号走线（特别是高频信号）要尽量短 111 PCB布线与布局两导体之间的距离要符合电气安全设计规范的规定，电压差不得超过它们之间空气和绝缘介质的击穿电压，否则会产生电弧。在0.7ns到10ns的时间里，电弧电流会达到几十A，有时甚至会超过100安培。电弧将一直维持直到两个导体接触短路或者电流低到不能维持电弧为止。可能产生尖峰电弧的实例有手或金属物体，设计时注意识别。 112 PCB布线与布局紧靠双面板的位置处增加一个地平面，在最短间距处将该地平面连接到电路上的接地点。 113 PCB布线与布局确保每个电缆进入点离机箱地的距离在40mm(1.6英寸)以内。 114 PCB布线与布局将连接器外壳和金属开关外壳都连接到机箱地上。 115 PCB布线与布局在薄膜键盘周围放置宽的导电保护环，将环的外围连接到金属机箱上，或至少在四个拐角处连接到金属机箱上。不要将该保护环与PCB地连接在一起。 116 PCB布线与布局使用多层PCB：相对于双面PCB而言，地平面和电源平面以及排列紧密的信号线-地线间距能够减小共模阻抗(commonimpedance)和感性耦合，使之达到双面PCB的1/10到1/100。尽量地将每一个信号层都紧靠一个电源层或地线层。 117 PCB布线与布局对于顶层和底层表面都有元器件、具有很短连接线以及许多填充地的高密度PCB，可使用内层线。大多数的信号线以及电源和地平面都在内层上，因而类似于具备屏蔽功能的法拉第盒。 118 PCB布线与布局尽可能将所有连接器都放在电路板一侧。 119 PCB布线与布局在引向机箱外的连接器(容易直接被ESD击中)下方的所有PCB层上，放置宽的机箱地或者多边形填充地，并每隔大约13mm的距离用过孔将它们连接在一起。 120 PCB布线与布局 PCB装配时，不要在顶层或者底层的安装孔焊盘上涂覆任何焊料。使用具有内嵌垫圈的螺钉来实现PCB与金属机箱/屏蔽层或接地面上支架的紧密接触。 121 PCB布线与布局在每一层的机箱地和电路地之间，要设置相同的“隔离区”；如果可能，保持间隔距离为0.64mm(0.025英寸)。 122 PCB布线与布局电路周围设置一个环形地防范ESD干扰：1在电路板整个四周放上环形地通路；2所有层的环形地宽度2.5mm(0.1英寸)；3每隔13mm(0.5英寸)用过孔将环形地连接起来；4将环形地与多层电路的公共地连接到一起；5对安装在金属机箱或者屏蔽装置里的双面板来说，应该将环形地与电路公共地连接起来；6不屏蔽的双面电路则将环形地连接到机箱地，环形地上不涂阻焊剂，以便该环形地可以充当ESD的放电棒，在环形地(所有层)上的某个位置处至少放置一个0.5mm宽(0.020英寸)的间隙，避免形成大的地环路；7如果电路板不会放入金属机箱或者屏蔽装置中，在电路板的顶层和底层机箱地线上不能涂阻焊剂，这样它们可以作为ESD电弧的放电棒。 123 PCB布线与布局在能被ESD直接击中的区域，每一个信号线附近都要布一条地线。 124 PCB布线与布局易受ESD影响的电路，放在PCB中间的区域，减少被触摸的可能性。 125 PCB布线与布局信号线的长度大于300mm(12英寸)时，一定要平行布一条地线。 126 PCB布线与布局安装孔的连接准则：可以与电路公共地连接，或者与之隔离。1金属支架必须和金属屏蔽装置或者机箱一起使用时，要采用一个0Ω电阻实现连接。2.确定安装孔大小来实现金属或者塑料支架的可靠安装，在安装孔顶层和底层上要采用大焊盘，底层焊盘上不能采用阻焊剂，并确保底层焊盘不采用波峰焊工艺焊接。 127 PCB布线与布局受保护的信号线和不受保护的信号线禁止并行排列。 128 PCB布线与布局复位、中断和控制信号线的布线准则：1采用高频滤波；2远离输入和输出电路；3远离电路板边缘。 129 PCB布线与布局机箱内的电路板不安装在开口位置或者内部接缝处。 130 PCB布线与布局对静电最敏感的电路板放在最中间，人工不易接触到的部位；将对静电敏感的器件放在电路板最中间，人工不易接触到的部位。 131 PCB布线与布局两块金属块之间的邦定（binding）准则：1固体邦定带优于编织邦定带；2邦定处不潮湿不积水；3使用多个导体将机箱内所有电路板的地平面或地网格连接在一起；4确保邦定点和垫圈的宽度大于5mm。 132 电路设计信号滤波腿耦：对每个模拟放大器电源，必需在最接近电路的连接处到放大器之间加去耦电容器。对数字集成电路，分组加去耦电容器。在马达与发电机的电刷上安装电容器旁路，在每个绕组支路上串联R-C滤波器，在电源入口处加低通滤波等措施抑制干扰。安装滤波器应尽量靠近被滤波的设备，用短的，加屏蔽的引线作耦合媒介。所有滤波器都须加屏蔽，输入引线与输出引线之间应隔离。 133 电路设计各功能单板对电源的电压波动范围、纹波、噪声、负载调整率等方面的要求予以明确，二次电源经传输到达功能单板时要满足上述要求 134 电路设计将具有辐射源特征的电路装在金属屏蔽内，使其瞬变干扰最小。 135 电路设计在电缆入口处增加保护器件 136 电路设计每个IC的电源管脚要加旁路电容（一般为104）和平滑电容(10uF~100uF)到地，大面积IC每个角的电源管脚也要加旁路电容和平滑电容 137 电路设计滤波器选型的阻抗失配准则：对低阻抗噪声源，滤波器需为高阻抗（大的串联电感）；对高阻抗噪声源，滤波器就需为低阻抗（大的并联电容） 138 电路设计电容器外壳、辅助引出端子与正、负极以及电路板间必须完全隔离 139 电路设计滤波连接器必须良好接地，金属壳滤波器采用面接地。 140 电路设计滤波连接器的所有针都要滤波 141 电路设计数字电路的电磁兼容设计中要考虑的是数字脉冲的上升沿和下降沿所决定的频带宽而不是数字脉冲的重复频率。方形数字信号的印制板设计带宽定为1／πtr，通常要考虑这个带宽的十倍频 142 电路设计用R－S触发器作设备控制按钮与设备电子线路之间配合的缓冲 143 电路设计降低敏感线路的输入阻抗有效减少引入干扰的可能性。 144 电路设计 LC滤波器在低输出阻抗电源和高阻抗数字电路之间，需要LC滤波器，以保证回路的阻抗匹配 145 电路设计电压校准电路：在输入输出端，要加上去耦电容（比如0.1μF），旁路电容选值遵循10μF/A的标准。 146 电路设计信号端接：高频电路源与目的之间的阻抗匹配非常重要，错误的匹配会带来信号反馈和阻尼振荡。过量地射频能量则会导致EMI问题。此时，需要考虑采用信号端接。信号端接有以下几种：串联/源端接、并联端接、 RC端接、Thevenin端接、二极管端接。 147 电路设计 MCU电路： I/O引脚：空置的I/O引脚要连接高阻抗以便减少供电电流。且避免浮动。 IRQ引脚：在IRQ引脚要有预防静电释放的措施。比如采用双向二极管、Transorbs或金属氧化变阻器等。复位引脚：复位引脚要有时间延时。以免上电初期MCU即被复位。振荡器：在满足要求情况下，MCU使用的时钟振荡频率越低越好。让时钟电路、校准电路和去耦电路接近MCU放置 148 电路设计小于10个输出的小规模集成电路，工作频率≤50MHZ时，至少配接一个0.1uf的滤波电容。工作频率≥50MHZ时，每个电源引脚配接一个0.1uf的滤波电容； 149 电路设计对于中大规模集成电路，每个电源引脚配接一个0.1uf的滤波电容。对电源引脚冗余量较大的电路也可按输出引脚的个数计算配接电容的个数，每5个输出配接一个0.1uf滤波电容。 150 电路设计对无有源器件的区域，每6cm2至少配接一个0.1uf的滤波电容 151 电路设计对于超高频电路，每个电源引脚配接一个1000pf的滤波电容。对电源引脚冗余量较大的电路也可按输出引脚的个数计算配接电容的个数，每5个输出配接一个1000pf的滤波电容 152 电路设计高频电容应尽可能靠近IC电路的电源引脚处。 153 电路设计每5只高频滤波电容至少配接一只一个0.1uf滤波电容； 154 电路设计每5只10uf至少配接两只47uf低频的滤波电容； 155 电路设计每100cm2范围内，至少配接1只220uf或470uf低频滤波电容； 156 电路设计每个模块电源出口周围应至少配置2只220uf或470uf电容，如空间允许，应适当增加电容的配置数量； 157 电路设计脉冲与变压器隔离准则：脉冲网络和变压器须隔离，变压器只能与去耦脉冲网络连接，且连接线最短。 158 电路设计在开关和闭合器的开闭过程中，为防止电弧干扰，可以接入简单的RC网络、电感性网络，并在这些电路中加入一高阻、整流器或负载电阻之类，如果还不行，就将输入和载出引线进行屏蔽。此外，还可以在这些电路中接入穿心电容。 159 电路设计退耦、滤波电容须按照高频等效电路图来分析其作用。 160 电路设计各功能单板电源引进处要采用合适的滤波电路，尽可能同时滤除差模噪声和共模噪声，噪声泄放地与工作地特别是信号地要分开，可考虑使用保护地；集成电路的电源输入端要布置去耦电容，以提高抗干扰能力 161 电路设计明确各单板最高工作频率，对工作频率在160MHz（或200MHz）以上的器件或部件采取必要的屏蔽措施，以降低其辐射干扰水平和提高抗辐射干扰的能力 162 电路设计如有可能在控制线（于印刷板上）的入口处加接R-C去耦，以便消除传输中可能出现的干扰因素。 163 电路设计用R-S触发器做按钮与电子线路之间配合的缓冲 164 电路设计在次级整流回路中使用快恢复二极管或在二极管上并联聚酯薄膜电容器 165 电路设计对晶体管开关波形进行“修整” 166 电路设计降低敏感线路的输入阻抗 167 电路设计如有可能在敏感电路采用平衡线路作输入，利用平衡线路固有的共模抑制能力克服干扰源对敏感线路的干扰 168 电路设计将负载直接接地的方式是不合适 169 电路设计注意在IC近端的电源和地之间加旁路去耦电容（一般为104） 170 电路设计如有可能，敏感电路采用平衡线路作输入，平衡线路不接地 171 电路设计继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加续流二极管会使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数 172 电路设计在继电器接点两端并接火花抑制电路（一般是RC串联电路，电阻一般选几K到几十K，电容选0.01uF），减小电火花影响 173 电路设计给电机加滤波电路，注意电容、电感引线要尽量短 174 电路设计电路板上每个IC要并接一个0.01μF～0.1μF高频电容，以减小IC对电源的影响。注意高频电容的布线，连线应靠近电源端并尽量粗短，否则，等于增大了电容的等效串联电阻，会影响滤波效果 175 电路设计可控硅两端并接RC抑制电路，减小可控硅产生的噪声（这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的） 176 电路设计许多单片机对电源噪声很敏感,要给单片机电源加滤波电路或稳压器，以减小电源噪声对单片机的干扰。比如，可以利用磁珠和电容组成π形滤波电路，当然条件要求不高时也可用100Ω电阻代替磁珠 177 电路设计如果单片机的I/O口用来控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之间应加隔离（增加π形滤波电路）。控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之间应加隔离（增加π形滤波电路）。 178 电路设计在单片机I/O口，电源线，电路板连接线等关键地方使用抗干扰元件如磁珠、磁环、电源滤波器，屏蔽罩，可显著提高电路的抗干扰性能 179 电路设计对于单片机闲置的I/O口，不要悬空，要接地或接电源。其它IC的闲置端在不改变系统逻辑的情况下接地或接电源 180 电路设计对单片机使用电源监控及看门狗电路，如：IMP809，IMP706，IMP813，X25043，X25045等，可大幅度提高整个电路的抗干扰性能。 181 电路设计在速度能满足要求的前提下，尽量降低单片机的晶振和选用低速数字电路 182 电路设计如有可能，在PCB板的接口处加RC低通滤波器或EMI抑制元件（如磁珠、信号滤波器等），以消除连接线的干扰；但是要注意不要影响有用信号的传输 183 电路设计时钟输出布线时不要采用向多个部件直接串行地连接〔称为菊花式连接〕；而应该经缓存器分别向其它多个部件直接提供时钟信号 184 电路设计延伸薄膜键盘边界使之超出金属线12mm，或者用塑料切口来增加路径长度。 185 电路设计在靠近连接器的地方，要将连接器上的信号用一个L-C或者磁珠-电容滤波器接到连接器的机箱地上。 186 电路设计在机箱地和电路公共地之间加入一个磁珠。 187 电路设计电子设备内部的电源分配系统是遭受ESD电弧感性耦合的主要对象，电源分配系统防ESD措施：1将电源线和相应的回路线紧密绞合在一起；2在每一根电源线进入电子设备的地方放一个磁珠；3在每一个电源管脚和紧靠电子设备机箱地之间放一个瞬流抑制器、金属氧化压敏电阻(MOV)或者1kV高频电容；4最好在PCB上布置专门的电源和地平面，或者紧密的电源和地栅格，并采用大量旁路和去耦电容。 188 电路设计在接收端放置串联的电阻和磁珠，对易被ESD击中的电缆驱动器，也可在驱动端放置串联的电阻或磁珠。 189 电路设计在接收端放置瞬态保护器。1用短而粗的线(长度小于5倍宽度，最好小于3倍宽度)连接到机箱地。2从连接器出来的信号线和地线要直接接到瞬态保护器，然后才能接电路的其它部分。 190 电路设计在连接器处或者离接收电路25mm(1.0英寸)的范围内，放置滤波电容。1用短而粗的线连接到机箱地或者接收电路地(长度小于5倍宽度，最好小于3倍宽度)。2信号线和地线先连接到电容再连接到接收电路。 191 机壳金属机箱上，开口最大直径≤λ/20，λ为机内外最高频电磁波的波长；非金属机箱在电磁兼容设计上视同为无防护。 192 机壳屏蔽体的接缝数最少；屏蔽体的接缝处，多接点弹簧压顶接触法具有较好的电连续性；通风孔D3mm，这个孔径能有效避免较大的电磁泄露或进入；屏蔽开口处（如通风口）用细铜网或其它适当的导电材料封堵；通风孔金属网如须经常取下，可用螺钉或螺栓沿孔口四周固定，但螺钉间距25mm以保持连续线接触 193 机壳 f1MHz，0.5mm厚的任何金属板屏蔽体，都将场强减弱99%；当f10MHz，0.1mm的铜皮屏蔽体将场强减弱99%以上；f100MHz，绝缘体表面的镀铜层或镀银层就是良好的屏蔽体。但需注意，对塑料外壳，内部喷覆金属涂层时，国内的喷涂工艺不过关，涂层颗粒间连续导通效果不佳，导通阻抗较大，应重视其喷涂不过关的负面效果。 194 机壳整机保护地连接处不涂绝缘漆，要保证与保护地电缆可靠的金属接触，避免仅仅依靠螺丝螺纹做接地连接的错误方式 195 机壳建立完善的屏蔽结构，带有接地的金属屏蔽壳体可将放电电流释放到地 196 机壳建立一个击穿电压为20kV的抗ESD环境；利用增加距离来保护的措施都是有效的。 197 机壳电子设备与下列各项之间的路径长度超过20mm，包括接缝、通风口和安装孔在内任何用户操作者能够接触到的点，可以接触到的未接地金属，如紧固件、开关、操纵杆和指示器。 198 机壳在机箱内用聚脂薄膜带来覆盖接缝以及安装孔，这样延伸了接缝/过孔的边缘，增加了路径长度。 199 机壳用金属帽或者屏蔽塑料防尘盖罩住未使用或者很少使用的连接器。 200 机壳使用带塑料轴的开关和操纵杆，或将塑料手柄/套子放在上面来增加路径长度。避免使用带金属固定螺丝的手柄。 201 机壳将LED和其它指示器装在设备内孔里，并用带子或者盖子将它们盖起来，从而延伸孔的边沿或者使用导管来增加路径长度。 202 机壳将散热器靠近机箱接缝，通风口或者安装孔的金属部件上的边和拐角要做成圆弧形状。 203 机壳塑料机箱中，靠近电子设备或者不接地的金属紧固件不能突出在机箱中。 204 机壳高支撑脚使设备远离桌面或地面可以解决桌面/地面或者水平耦合面的间接ESD耦合问题。 205 机壳在薄膜键盘电路层周围涂上粘合剂或密封剂。 206 机壳机箱结合点和边缘防护准则：结合点和边缘很关键，在机箱箱体接合处，要使用耐高压硅树脂或者垫圈实现密闭、防ESD、防水和防尘。 207 机壳不接地机箱至少应该具有20kV的击穿电压(规则A1到A9)；而对接地机箱，电子设备至少要具备1500V击穿电压以防止二级电弧，并且要求路径长度大于等于2.2mm。 208 机壳机箱用以下屏蔽材料制作：金属板；聚酯薄膜/铜或者聚酯薄膜/铝压板；具有焊接结点的热成型金属网；热成型金属化的纤维垫子(非编织)或者织物(编织)；银、铜或者镍涂层；锌电弧喷涂；真空金属处理；无电电镀；塑料中加入导体填充材料； 209 机壳屏蔽材料防电化学腐蚀准则：相互接触的部件彼此之间的电势 (EMF)0.75V。如果在一个盐性潮湿环境中，那么彼此之间的电势必须0.25V。阳极(正极)部件的尺寸应该大于阴极(负极)部件。 210 机壳用缝隙宽度5倍以上的屏蔽材料叠合在接缝处。 211 机壳在屏蔽层与箱体之间每隔20mm(0.8英寸)的距离通过焊接、紧固件等方式实现电连接。 212 机壳用垫圈实现缝隙的桥接，消除开槽并且在缝隙之间提供导电通路。 213 机壳避免屏蔽材料中出现直拐角以及过大的弯角。 214 机壳孔径≤20mm以及槽的长度≤20mm。相同开口面积条件下，优先采取开孔而不是开槽。 215 机壳如果可能，用几个小的开口来代替一个大的开口，开口之间的间距尽量大。 216 机壳对接地设备，在连接器进入的地方将屏蔽层和机箱地连接在一起；对未接地(双重隔离)设备，将屏蔽材料同开关附近的电路公共地连接起来。 217 机壳尽可能让电缆进入点靠近面板中心，而不是靠近边缘或者拐角的位置。 218 机壳在屏蔽装置中排列的各个开槽与ESD电流流过的方向平行而不是垂直。 219 机壳在安装孔的位置使用带金属支架的金属片来充当附加的接地点，或者用塑料支架来实现绝缘和隔离。 220 机壳在塑料机箱上的控制面板和键盘位置处安装局部屏蔽装置来阻止ESD： 221 机壳电源连接器和引向外部的连接器的位置，要连接到机箱地或者电路公共地。 222 机壳在塑料中使用聚酯薄膜/铜或者聚酯薄膜/铝压板，或者使用导电涂层或导电填充物。 223 机壳在铝板上使用薄的导电铬化镀层或者铬酸盐涂层，但不能采用阳极电镀。 224 机壳在塑料中要使用导电填充材料。注意铸型部件表面通常有树脂材料，很难实现低电阻的连接。 225 机壳在钢材料上使用薄的导电铬酸盐涂层。 226 机壳让清洁整齐的金属表面直接接触而不要依靠螺钉来实现金属部件的连接。 227 机壳沿整个外围用屏蔽涂层(铟锡氧化物、铟氧化物和锡氧化物等)将显示器与机箱屏蔽装置连接在一起。 228 机壳在操作者常接触的位置处，要提供一个到地的抗静电(弱导电)路径，比如键盘上的空格键。 229 机壳要让操作员很难产生到金属板边缘或角的电弧放电。电弧放电到这些点会比电弧放电到金属板中心导致更多间接ESD的影响。 230 其他显示窗口的屏蔽防护准则：1加装屏蔽防护窗；2对外电路部分与机内的电路连接通过滤波器件相连。 231 其他按键窗口防护准则： 232 器件选型电容器尽量选择贴片电容，引线电感小。 233 器件选型稳定电源的供电旁路电容，选择电解电容 234 器件选型交流耦合及电荷存储用电容器选择聚四氟乙烯电容器或其它聚脂型(聚丙烯、聚苯乙烯等)电容器。 235 器件选型高频电路退耦用单片陶瓷电容器 236 器件选型电容选择的标准是：尽可能低的ESR电容；尽可能高的电容的谐振频率值； 237 器件选型铝电解电容器应当避免在下述情况下使用： a、高温(温度超过最高使用温度) b、过流(电流超过额定纹波电流),施加纹波电流超过额定值後，会导致电容器体过热，容量下降，寿命缩短。 c、过压(电压超过额定电压),当电容器上所施加电压高於额定工作电压时，电容器的漏电流将上升，其电氧物性将在短期内劣化直至损坏。 d、施加反向电压或交流电压，当值流铝电解电容器按反极性接入电路时，电容器会导致电子线路短路，由此产生的电流会引致电容器损坏。若电路中有可能在负引线施加正极电压，请选无极性产品。 e、使用於反复多次急剧充放电的电路中，当常规电容器被用作快速充电用途。其使用寿命可能会因为容量下降，温度急剧上升等而缩减。 238 器件选型只有在屏蔽机箱上才有必要使用滤波连接器 239 器件选型选用滤波器连接器时，除了要选用普通连接器时要考虑的因素外，还应考虑滤波器的截止频率。当连接器中各芯线上传输的信号频率不同时，要以频率最高的信号为基准来确定截止频率 240 器件选型封装尽可能选择表贴 241 器件选型电阻选择首选碳膜，其次金属膜，因功率原因需选线绕时，一定要考虑其电感效应 242 器件选型电容选择应注意铝电解电容、钽电解电容适用于低频终端；陶制电容适合于中频范围（从KHz到MHz）；陶制和云母电容适合于甚高频和微波电路；尽量选用低ESR（等效串联电阻）电容 243 器件选型旁路电容选择电解电容，容值选10-470PF，主要取决于PCB板上的瞬态电流需求 244 器件选型去耦电容应选择陶瓷电容，容值选旁路电容的1/100或1/1000。取决于最快信号的上升时间和下降时间。比如100MHz取10nF，33MHz取4.7-100nF，选择ESR值小于1欧姆选择NPO（锶钛酸盐电介质）用作50MHz以上去耦，选择Z5U（钡钛酸盐）用作低频去耦，最好是选择相差两个数量级的电容并联去耦 245 器件选型电感选用时，选择闭环优于开环，开环时选择绕轴式优于棒式或螺线管式。选择铁磁芯应用于低频场合，选择铁氧体磁心应用于高频场合 246 器件选型铁氧体磁珠高频衰减10dB 247 器件选型铁氧体夹MHz频率范围的共模（CM）、差模（DM）衰减达10-20dB 248 器件选型二极管选用：肖特基二极管：用于快速瞬态信号和尖脉冲保护；齐纳二极管：用于ESD（静电放电）保护；过电压保护；低电容高数据率信号保护瞬态电压抑制二极管（TVS）：ESD激发瞬时高压保护，瞬时尖脉冲消减变阻二极管：ESD保护；高压和高瞬态保护 249 器件选型集成电路：选用CMOS器件尤其是高速器件有动态功率要求，需要采取去耦措施以便满足其瞬时功率要求。高频环境中，引脚会形成电感，数值约为1nH/1mm，引脚末端也会向后呈小电容效应，大约有4pF。表贴器件有利于EMI性能，寄生电感和电容值分别为0.5nH和0.5pF。放射状引脚优于轴向平行引脚； TTL与CMOS混合电路因为开关保持时间不同，会产生时钟、有用信号和电源的谐波，因此最好选择同系列逻辑电路。未使用的CMOS器件引脚，要通过串联电阻接地或者接电源。 250 器件选型滤波器的额定电流值取实际工作电流值的1.5倍。 251 器件选型电源滤波器的选择：依据理论计算或测试结果，电源滤波器应达到的插损值为IL，实际选型时应选择插损为IL+20dB大小的电源滤波器。 252 器件选型交流滤波器和支流滤波器在实际产品中不可替换使用，临时性样机中，可以用交流滤波器临时替代直流滤波器使用；但直流滤波器绝对不可用于交流场合，直流滤波器对地电容的滤波截止频率较低，交流电流会在其上产生较大损耗。 253 器件选型避免使用静电敏感器件，选用器件的静电敏感度一般不低于2000V，否则要仔细推敲、设计抗静电的方法。在结构方面，要实现良好的地气连接及采取必要的绝缘或屏蔽措施，提高整机的抗静电能力 254 器件选型带屏蔽的双绞线，信号电流在两根内导线上流动，噪声电流在屏蔽层里流动，因此消除了公共阻抗的耦合，而任何干扰将同时感应到两根导线上，使噪声相消 255 器件选型非屏蔽双绞线抵御静电耦合的能力差些。但对防止磁场感应仍有很好作用。非屏蔽双绞线的屏蔽效果与单位长度的导线扭绞次数成正比 256 器件选型同轴电缆有较均匀的特性阻抗和较低的损耗，使从直流到甚高频都有较好特性。 257 器件选型凡是能不用高速逻辑电路的地方就不要用高速逻辑电路 258 器件选型在选择逻辑器件时，尽量选上升时间比5ns长的器件，不要选比电路要求时序快的逻辑器件 259 系统多个设备相连为电气系统时，为消除地环路电源引起的干扰，采用隔离变压器、中和变压器、光电耦合器和差动放大器共模输入等措施来隔离。 260 系统识别干扰器件和干扰电路：在启停或运行状态下，电压变化率dV/dt、电流变化率di/dt较大的器件或电路，为干扰器件或干扰电路。 261 系统在薄膜键盘电路和与其相对的邻近电路之间放置一个接地的导电层。 262 线缆与接插件 PCB布线与布局隔离准则：强弱电流隔离、大小电压隔离，高低频率隔离、输入输出隔离、数字模拟隔离、输入输出隔离，分界标准为相差一个数量级。隔离方法包括：屏蔽其中一个或全部独立屏蔽、空间远离、地线隔开。 263 线缆与接插件无屏蔽的带状电缆。最佳接线方式是信号与地线相间，稍次的方法是一根地、两根信号再一根地依次类推，或专用一块接地平板 264 线缆与接插件信号电缆屏蔽准则：1强干扰信号传输使用双绞线或专用外屏蔽双绞线。2直流电源线应用屏蔽线；3交流电源线应用扭绞线；4所有进入屏蔽区的信号线/电源线均须经过滤波。5一切屏蔽线（套）两端应与地有良好的接触，只要不产生有害接地环路，所有电缆屏蔽套都应两端接地，对非常长的电缆，则中间也应有接地点。6在灵敏的低电平电路中，以消除接地环路中可能产生的干扰，对每电路都应有各自隔离和屏蔽好接地线。 265 线缆与接插件屏蔽线紧贴金属底板准则：所有带屏蔽层的电缆宜紧贴金属板安放，防止磁场穿过金属地板和屏蔽线外皮构成的回路 266 线缆与接插件印刷电路的插头也要多安排一些零伏线作为线间隔离 267 线缆与接插件减小干扰和敏感电路的环路面积最好办法是使用双绞线和屏蔽线 268 线缆与接插件双绞线在低于100KHz下使用非常有效，高频下因特性阻抗不均匀及由此造成的波形反射而受到限制文章转自一牛网公众号：一牛网在线欢迎关注！
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