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一牛网 附件中心 Memory|存储芯片 SEC_KMQ820013M-B419_Datasheet_221F 11.5x13_Ver.1.00.00_Final for Common-MV1616-20NM.pdf

SEC_KMQ820013M-B419_Datasheet_221F 11.5x13_Ver.1.00.00_Final for Common-MV1616-20NM.pdf

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更新日期:2020-12-11 15:43

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KMQ820013M-B419 MCP内存数据手册

KMQ820013M是一种多芯片封装存储器,它结合了16GBe.MMC和16GB(8Gb*2)DDPLPDDR3SDRAM.三星e·MMC是一种以BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。e·MMC操作与MMC设备相同,因此是一种简单的读写存储器,使用的是工业标准的MMC协议v5.0。e·MMC由nandflash和MMC控制器组成。NAND区域(VDDF或VCC)需要3V电源电压,而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压(VDD或VCCQ)。三星e•MMC支持200MHzDDR–高达400MBps,总线宽度为8位,以提高顺序带宽,尤其是顺序读取表演......

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