本期为大家介绍 骊微电子热门方案- PN8370M+ PN8305L 5V2A 六级能效充电方案, 该5v2a 充电器芯片方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点,备受工程师青睐!
PN8370M 集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8305L 包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13 mohm 55V Trench MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
5V2A小体积六级能效充电方案特性: 输入电压:90~265Vac全电压 输出功率:10W 平均效率:>78.7%,满足六级能效要求(高效率) 待机功耗:<50mW,Vin=264Vac(低待机) PN8305L双供电全工作状态无直通风险(高可靠性) 拥有输出短路保护,输出过流保护,输出欠压保护(PCB端3.1V以下),VDD过压保护,FB分压电阻开路短路保护,以及电流检测电阻Rcs开短路保护,过温保护(保护功能齐全)
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