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三星ddr3 k4n2g0846 k4b4g0446数据手册

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发表于 2019-11-5 15:57:46 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 河南省郑州市
4GB的DDR3 SDRAM Q-模被组织为128Mbit x4 I/Os x8 Bank或64 Mbit x8 I/Os x8 Bank设备。该同步装置实现了用于一般应用的高达1866Mb/sec/pin(DDR3-1866)的高速双数据速率传输速率。


芯片的设计符合以下DDR 3 SDRAM的特点,如张贴CAS,可编程CWL,内部(自)校准,使用ODT引脚和异步复位的模具终止

所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入锁定在差动时钟的交叉点(CK上升和CK下降)。所有的I/O以同步方式与一对双向选通(DQS和DQS)同步。地址总线用于在RAS/CAS中传送行、列和组地址信息多路复用方式。DDR3设备采用1.5V±0.075V电源和1.5V±0.075V VDDQ进行操作。

4GB的DDR3Q模具设备可在78球FBGAs(x4/x8)中使用。

1. Ordering Information
[ Table 1 ] Samsung 4Gb DDR3 Q-die ordering information table
QQ截图20191105160615.png
2. Key Features
[ Table 2 ] 4Gb DDR3 Q-die Speed bins
QQ截图20191105160630.png

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发表于 2019-11-5 18:24:05 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
谢谢分享,多多支持
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发表于 2019-11-13 21:18:44 | 显示全部楼层 来自 陕西省西安市
谢谢楼主分享。
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发表于 2020-7-2 11:36:25 | 显示全部楼层 来自 安徽省合肥市
下载来看看怎么样
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发表于 2021-9-27 10:29:42 | 显示全部楼层 来自 河南省郑州市
感谢分享
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发表于 2022-7-18 15:43:12 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
学习学习   
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发表于 2023-3-11 10:41:16 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
谢谢分享
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