紫光SCB15H1G160CF 1Gb规格书/datasheet

United · 发表于 2020-6-5 22:24:11

本章概述了1Gbit双数据Rate-Three(DDR3)SDRAM组件产品，并描述了其主要特点。

1Gbit DDR3SDRAM提供以下关键特性：
•VDD和VDDQ的1.5 V±0.075 V电源电压
•数据速率：1333Mbps/1600Mbps/866Mbps
•SDRAM配置，带×16数据输入/输出
页面大小：2kbyte页面大小
行地址：A0到A12
列地址：A0到A9
•异步复位#
•读写命令的自动预充电操作
•刷新、自刷新和省电关机
模式；自动自刷新（ASR）和部分数组自刷新
刷新（PASR）
•工作温度范围：
–商用，（0°C至95°C）
•写操作的数据屏蔽功能
•TCASE低于7.8μs时的平均刷新周期
85°C，85°C以上3.9μs
•可在每个正时钟边缘输入命令
•数据和数据掩码引用
差分数据选通对（双数据速率）
•CAS延迟（CL）：5、6、7、8、9、10、11
•可编程附加延迟（AL=0，
CL–1和CL–2）用于改进命令、地址和
数据总线效率
•读取延迟RL=AL+CL
•每个操作的可编程CAS写入延迟（CWL）
频率：5、6、7、8
•写入延迟WL=AL+CWL
•突发长度8（BL8）和突发斩波4（BC4）模式：固定
通过模式寄存器（MRS）或动态选择（OTF）

输入/输出信号功能描述
图3.输入/输出信号功能描述x16组件
QQ截图20200605140333.png

模式寄存器1(MR1)
模式寄存器MR1存储启用或禁用DLL、输出驱动程序强度、RTT_Nom阻抗、加性延迟(AL)、写平启用和Qoff（输出禁用)的数据）。模式寄存器MR1是由在CS#、RAS#、CAS#、WE#上断言低，在BA0上断言高，在BA1和BA2上断言低，同时根据表控制地址引脚的状态
QQ截图20200605140637.png