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[资料] EDF8132A1MC-GD-F资料

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发表于 2020-6-19 14:42:34 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 安徽省宣城市宁国市
EDF8132A1MC-GD-F资料
特征
超低压芯和I/O电源
·频率范围-800MHz(数据速率:1600Mb/s/pin)
·8n预取DDR架构
·8个内部银行,用于并发操作 数据速率、命令/地址输入;在每个CK_t/CK_c边缘输入的命令
·每字节数据的双向/差分数据选通(DQS_t/DQS_c)
·可编程读取和写延迟(RL/WL)
·Bu 长度:8·每银行刷新并发操作
·自动温度补偿自刷新(ATCSR)通过内置温度传感器
·部分阵列自刷新(PASR)
·深功率下降模式 (DPD)
·可选择输出驱动强度(DS)
·时钟停止能力
·模上终止(ODT)

图4:双排名,双死,单通道封装框图

单通道封装框图

单通道封装框图


图5:双排名,四死,单通道包块图

单通道包块图

单通道包块图


注:1。 将ODT输入连接到秩0。 到秩1的ODT输入连接到包中的VSS。

2020-6-19 14:41 上传
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