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[资料] 三星内存KA100O015E规格书/datasheet

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发表于 2020-8-11 14:50:42 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
说明
KA100O015E是一种结合4G位NAND闪存和4G位DDP同步高数据速率动态RAM的多芯片封装存储器。
为固态应用市场提供最具成本效益的解决方案。 程序操作可以在(2K64)Word页面上的典型420μs(TBD)中执行,也可以进行擦除操作 可以在(128K4K)字块上的典型3MS(TBD)中执行。 数据寄存器中的数据可以在每个Word的42ns周期时间读出。 I/O引脚作为地址和数据输入/输出的端口以及命令输入。 片上写控制器使所有程序和擦除功能自动化,包括脉冲重复,在需要时,以及内部验证和数据的边缘。 即使是那个写入密集型系统可以利用设备的扩展可靠性的TBD程序/擦除周期提供ECC(错误纠正代码)与实时映射算法。 设备是 大型非易失性存储应用程序,如固态文件存储和其他需要非挥发性的便携式应用程序的最佳解决方案。
在4G位DDP移动DDR中,同步设计使设备通过系统时钟精确控制。 工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟 同一设备可用于各种高带宽、高性能内存系统应用。
KA100O015E适用于移动通信系统的数据存储器,不仅可以减少挂载面积,而且可以减少功耗。 此设备可在137球FBGA类型。

特征
<NAND闪存>
•电压供应
-1.8V装置:1.7V~1.95V
•组织
-存储单元阵列:
(256M+8M)x 16位4Gb
(512M+16M)x 16bit,用于8Gb DDP
-数据寄存器:(2K+64)x 16位
•自动编程和擦除
-页面程序:(2K+64)字
-块擦除:(128K+4K)字
•页面读取操作
-页面大小:(2K+64)字
-随机读取:60μs(最大)(TBD)
-串行访问:42ns(最小值)
•快速写入周期
-页面编程时间:420μs(典型)(待定)
-块擦除时间:3ms(典型)(待定)
•命令/地址/数据多路复用I/O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的程序/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-耐久性:TBD程序/擦除周期
x16带4位/256字ECC
•命令驱动操作
•用于版权保护的唯一ID


引脚配置
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别针描述
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发表于 2020-8-11 18:45:56 | 显示全部楼层 来自 河北省
不错的资料。
发表于 2020-9-1 14:31:15 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
非常感谢分享,下载来看看,thanks
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发表于 2021-1-4 16:42:50 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
好资料!顶!!!!
发表于 2021-2-25 16:15:49 | 显示全部楼层 来自 欧盟
感謝分享!
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发表于 2022-7-22 16:47:17 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
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