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[资料] 三星内存KMQN10006B数据手册/datasheet

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发表于 2020-8-27 14:35:20 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
KMQN10006B是一种多芯片封装存储器,它结合了8GB的MMC和12GB(6GB*2)DDP LPDDR3SDRAM
Samsung e MMC是一种嵌入式MMC解决方案,以BGA包形式设计。 电子MMC操作与MMC设备相同,因此是使用MMC协议v5.0对内存进行简单的读写 这是一个行业标准
电磁兼容由NAND闪存和MMC控制器组成。 3NAND区域(VDDF或VCC)需要V电源电压,而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压(VDD或VCCQ 呃。 三星e·MMC支持200MHzDDR-高达400MBps的总线宽度为8位,以提高顺序带宽,特别是顺序读取性能。
使用eMMC有几个优点。 它易于使用,因为MMC接口允许与任何微处理器与MMC主机易于集成。 任何对NAND的修改或修改都是不可见的 作为嵌入式MMC控制器的E主机将NAND技术与主机隔离开来。 这导致更快的产品开发以及更快的时间进入市场。
LPDDR3设备在Command/Address(CA)总线上使用双数据速率架构,以减少系统中的输入引脚数量。 10位CA总线包含命令、地址和银行信息。 每个命令使用一个时钟周期,在此期间,命令信息在时钟的正边和负边都被传输。
这些设备还在DQ引脚上使用双数据速率体系结构来实现高速操作。 双数据速率体系结构本质上是一个具有接口的8n预取体系结构 设计用于在I/O引脚上每个时钟周期传输每个DQ的两个数据位。 LPDDR3SDRAM的单个读或写访问有效地由单个8n位宽、一个时钟周期的数据传输组成 在内部DRAM核心和八个相应的n位宽,一个半钟周期的数据传输在I/O引脚。
读取和写入对LPDDR3SDRAM的访问是面向突发的;访问从选定的位置开始,并在编程序列中继续对编程数量的位置进行访问。 访问始于 激活命令的注册,然后跟着读或写命令。 与Activate命令一致注册的地址和BA位用于选择行和要访问的银行。 与Read或Write命令一致注册的地址位用于选择突发访问的银行和起始列位置。 在正常操作之前 必须初始化LPDDR3SDRAM。 下一节提供了详细的信息,包括设备初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作。

引脚配置

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发表于 2020-9-15 22:40:06 | 显示全部楼层 来自 香港
好資料!非常感謝!
发表于 2020-9-24 15:35:25 | 显示全部楼层 来自 江苏省苏州市
谢谢,这个型号的资料真难找。
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发表于 2021-1-4 16:41:40 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
好资料!顶!!!!!
发表于 2021-2-25 19:23:14 | 显示全部楼层 来自 欧盟
感謝分享!
发表于 2021-5-19 13:38:37 | 显示全部楼层 来自 香港
好资料,感谢,顶
发表于 2021-8-12 11:43:49 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市龙岗区
谢谢分享
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发表于 2022-3-30 15:18:22 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
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发表于 2022-8-30 17:29:19 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
谢谢分享
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发表于 2022-10-10 00:02:36 来自手机 | 显示全部楼层 来自 中国
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