HS400是一种多
芯片封装存储器,它结合了e·MMC™和低功率DDR3同步动态RAM。e·MMC™部分是的
嵌入式闪存存储
解决方案多媒体卡接口(e·MMC™)。电子MMC™
控制器直接管理
NAND闪存,包括ECC,磨损平整,IOPS优化和读取传感。该装置适用于移动通信系统的数据存储器,不仅减少
PCB的尺寸也是功耗。此设备可用于221球FBGA类型。
E·MMC™标准规范
NAND设备完全兼容JEDEC标准规范编号。此数据表描述了e·MMC™设备的关键和具体特性。 任何额外设备与主机系统接口所需的信息以及设备的所有实用方法检测和访问可以在JEDEC标准规范的适当部分中找到。
LPDDR3标准规范
设备的LPDDR3部分与JEDEC标准规范编号完全兼容。此数据表描述LPDDR3的关键和特定特性。 任何补充资料将设备与主机系统接口的要求以及设备检测和的所有实用方法访问可以在JEDEC标准规范的适当部分中找到。
设备框图
设备框图
e•MMC™设备和系统
电子MMC™规范涵盖了接口和设备控制器的行为。本规范隐含了主机控制器和内存存储数组的存在,但这些部件的操作没有完全指定。金斯顿NAND设备由
单片机MMC控制器和NAND闪存
模块组成。
微控制器接口与主机系统,允许数据写入和从读取NAND闪存模块。控制器允许主机独立于擦除的细节并编程闪存.
存储器编址
以前的e·MMC™规范的实现是遵循32位字段的字节寻址。这种寻址机制允许e·MMC™密度达到并包括2GB。为了支持更大的密度,更新了寻址机制,以支持部门地址(512B部门)。扇区地址应用于容量大于2GB的所有设备。
HS400总线速度模式
1.HS400模式具有以下特点:
2.DDR数据采样方法
3.CLK频率高达200MHz,数据速率高达400MB/s
4.只支持8位总线宽度
5.
信号水平为1.8V
6.支持多达5个选择性驱动强度
7.数据选通信号仅用于数据输出和CRC响应
HS400系统框图
下图显示了一个典型的HS400主机和设备系统。主机有一个时钟发生器,它向设备提供CLK。对于读取操作,数据探针由设备输出电路生成。主机接收与数据探针边缘对齐的数据。
HS400系统框图
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