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海力士内存H9TQ26ADFTBCUR eMMC内存数据手册/datasheet ...
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海力士内存H9TQ26ADFTBCUR eMMC内存数据手册/datasheet
红旗飘飘
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红旗飘飘
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发表于 2020-11-25 11:23:23
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32GB(x8) eMMC Flash
SKhynix
e MMC由
NAND
闪存和MMC控制器组成。eMMC具有内置智能控制器,管理接口协议、磨损平整、坏块管理垃圾收集和ECC。电磁兼容保护数据内容免受主机突然断电故障。电磁兼容与JEDEC标准eMMC5.1规范兼容。
支持的功能
1.
HS400
、HS200
2.HPI、BKOPS、BKOP操作控制
3.压缩命令,命令队列
4.缓存、缓存屏障、缓存刷新报告
5.分区、RPMB、RPMB吞吐量改善
6.丢弃、修剪、擦除、消毒
7.写保护,安全写保护
8.锁定/解锁
9.PON,睡觉/清醒
10.可靠的写入
11.引导功能,引导分区
12.硬件/软件复位
13.现场固件更新
14.可配置驱动器强度
15.健康(智能)报告
16.生产状态意识
17.安全移除类型
18.数据选通管脚,增强型数据选通
eMMC结构图
eMMC结构图
H9TQ26ADFTBCUR
KUM说明:
H9TQ26ADFTBCUR KUM
eMMC 5.0新特性:
HS400模式:eMMC支持HS400信令,通过200MHzDDR时钟频率实现总线速度为400MB/s。 HS400模式只支持8位总线宽度和1.8VVccq。 由于速度的原因,主机可能需要有一个可调的采样用DS引脚可靠地接收传入数据(读取数据和CRC响应。 eMMC支持多达5个驱动力量。
HS400的数据探针
数据选通是HS400模式下使用的返回时钟信号。 此信号由设备产生,用于HS400模式下的数据输出PUT和CRC状态响应输出。 该信号的频率遵循CLK的频率。 该信号的每个周期的数据输出指示数据上的两位传输(2x)-一位用于正边缘,另一位为负边。
8Gb LPDDR3
SDRAM
LPDDR3-SDRAM是一种高速同步DRAM设备,内部配置为8银行存储器。这些设备包含以下位数:8Gb有8,589,934,592位。LPDDR3设备在Command/Address(CA)总线上使用双数据速率架构,以减少输入的数量系统中的引脚。 10位CA总线包含命令、地址和银行信息。 每个命令使用一个时钟循环,在此期间,命令信息在时钟的正边和负边传递。这些设备还在DQ引脚上使用双数据速率体系结构来实现高速操作。 双重数据速率体系结构本质上是一种8N预取体系结构,其接口旨在每个DQ传输两个数据位每个时钟周期在I/O引脚。 LPDDR3SDRAM的单个读或写访问实际上由单个组成在内部DRAM核心处进行8n位宽、一个时钟周期数据传输,在I/O引脚处进行八个相应的n位宽、半钟周期数据传输。
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Jasonborne
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Jasonborne
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yuanchaoping
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yuanchaoping
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starkiki
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starkiki
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内存专家
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lintao1
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