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镁光M25PE20/M25PE10数据手册

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发表于 2020-12-10 17:48:18 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
M25PE20M25PE10分别是2 Mbit(256 Kb×8位)和1 Mbit(128 Kb×8位)串行分页闪存。它们可以通过高速SPI兼容接口访问公车。那个使用页写入或页编程指令,存储器一次可写入或编程1到256字节。页面写入指令由一个完整的页面擦除周期和一个页面程序组成循环。这个M25PE20内存被组织成4个扇区,每个扇区包含256页。每页256字节宽。因此,整个存储器可以被视为由1024页或262144页组成字节。该M25PE10内存被组织成2个扇区,每个扇区包含256个扇区每一页页面宽度为256字节。因此,整个内存可以被视为由512页或131072页组成字节。该可以使用页擦除指令一次擦除一页内存,一次擦除一个子扇区,使用子扇区擦除指令,一次擦除一个扇区,使用扇区擦除指令或作为一个整体,使用大容量擦除说明。The根据应用程序的需要,内存可以通过混合使用易失性和非易失性保护功能的硬件或软件进行写保护。保护粒度为64 KB(扇区粒度)。

信号描述
1.串行数据输出(Q):该输出信号用于串行地将数据传输出设备。数据在串行时钟的下降沿向外移动(C)。

2.串行数据输入(D):该输入信号用于将数据串行传输到设备中。它接收指令、地址和要编程的数据。数值锁存在串行时钟(C)的上升沿。
3.串行时钟(C):该输入信号提供串行接口的定时。串行数据输入(D)中的指令、地址或数据锁存在串行时钟(C)的上升沿上。串行数据输出(Q)上的数据在串行时钟(C)下降沿后发生变化。
4.芯片选择:当输入信号高时,设备被取消选择,串行数据输出(Q)处于高阻抗状态。除非正在进行内部读取、编程、擦除或写入周期,否则设备将处于待机电源模式(这不是深度断电模式)。驱动芯片选择低选择设备,将其置于有源功率模式。

SPI模式
这些设备可由微控制器驱动,其SPI外围设备以以下两种模式之一运行:
●CPOL=0,CPHA=0
●CPOL=1,CPHA=1

对于这两种模式,输入数据锁存在串行时钟(C)的上升沿,输出数据来自串行时钟(C)的下降沿。这两种模式之间的区别,如图5所示,是总线主机处于待机模式且不传输数据时的时钟极性:
●C保持在0(CPOL=0,CPHA=0)
●对于(CPOL=1,CPHA=1),C保持在1


总线主和存储设备在SPI总线上

总线主和存储设备在SPI总线上

总线主和存储设备在SPI总线上


操作功能
共享修改数据
要写入或编程一个(或多个)数据字节,需要两条指令:write Enable(WREN)是一个字节,页写入(PW)或页程序(PP)序列由四个字节加上数据组成。随后是内部循环(持续时间为tPW或tPP)。为了分担这种开销,页写入(PW)或页程序(PP)指令允许最多要编程的256字节(将位从1更改为0)或写入(将位更改为0或1)一次,前提是它们位于同一内存页上的连续地址中。


写入、程序或擦除周期中的循环
通过不等待最坏情况下的延迟(tPW、tPP、tPE、tBE、tW或tSE),可以进一步改善写入、程序或擦除时间。状态寄存器中提供了正在写入(Write-In-Progress,WIP)位,以便应用程序可以监视它的值,并轮询它,以确定上一个周期何时完成。


重置
内部通电复位电路有助于防止意外数据写入。附加保护通过在通电过程中驱动复位(Reset)低提供,只有当VCC达到正确的电压水平VCC(min)时才驱动复位(Reset)高。



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发表于 2021-6-2 17:39:43 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
谢谢分享镁光的资料
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