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[资料] 三星内存M25P64规格书/datasheet

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发表于 2021-3-19 17:52:13 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
M25P64是具有高级写保护机制的64 Mbit(8M x 8)串行闪存,可通过高速SPI兼容总线进行访问。可使用Page Program指令一次将其编程为1至256字节。 增强的快速编程/擦除模式可用于加快工厂环境中的操作。 每当将VPPH电压施加到写保护/增强程序电源电压引脚(W / VPP)时,器件就会进入此模式。存储器被组织为128个扇区,每个扇区包含256页。 每页为256字节宽。 这样,整个内存可以看成由32768页或8388608字节组成。可以使用Bulk Erase指令擦除整个存储器,或者使用Sector Erase指令一次擦除一个扇区。

M25P64逻辑图:

M25P64逻辑图

M25P64逻辑图


特征:
64 Mbit的闪存
2.7 V至3.6 V单电源电压
SPI总线兼容的串行接口
50 MHz时钟速率(最大)
VPP = 9 V,用于快速编程/擦除模式(可选)
页面程序(最大256个字节):
– 1.4毫秒(典型值)
– 0.35毫秒内(VPP = 9 V时通常)
扇区擦除(512 Kbit)
批量擦除(64 Mbit)
电子签名:
– JEDEC标准两字节签名(2017h)
– RES指令,一个字节,签名(16h),用于向后兼容
硬件写保护:受保护的区域大小由三个非易失性位(BP0,BP1和BP2)定义
每个扇区超过10万个擦除/程序周期
保留超过20年的数据
包装:ECOPACK®(符合RoHS)

信号描述:
1.串行数据输出(Q)
该输出信号用于将数据串行传输出设备。 数据在串行时钟(C)的下降沿移出。
2.串行数据输入(D)
该输入信号用于将数据串行传输到设备中。 它接收指令,地址和要编程的数据。 值在串行时钟(C)的上升沿锁存。
3.串行时钟(C)
该输入信号提供了串行接口的时序。 串行数据输入(D)上存在的指令,地址或数据在串行时钟(C)的上升沿被锁存。 串行数据输出(Q)上的数据在串行时钟(C)的下降沿之后发生变化。
4.芯片选择(S)
当此输入信号为高电平时,该设备被取消选择,并且串行数据输出(Q)处于高阻抗状态。 除非正在进行内部编程,擦除或写入状态寄存器循环,否则器件将处于待机功耗模式。 驱动芯片选择(S)为低将选择器件,将其置于有功功率模式。


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