三星内存H8BCS0UN0MCR系列规格书/datasheet

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H8BCS0UN0MCR NAND闪存具有512Mx8bit和16Mx8备用容量。 该器件采用1.8 Vcc电源供电，并具有x8和x16 I/O接口。其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。 存储器被划分为可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该设备包含4096个块，由64页组成。 编程操作允许以典型的250us写入2112字节的页面，并且擦除操作可以在典型的2ms内对128K字节的块执行。

H8BCS0UN0MCR特征：
1.[MCP]
●工作温度30℃〜85℃
●封装：137球FBGA-10.5x13.0mm2，1.2t，0.8mm间距、无铅和无卤素

2.NAND闪存
●多平面架构
●电源电压：Vcc = 1.7-1.95 V
●存储单元阵列：（1K + 32）字x 64页x 4096块
●页面大小：（1K + 32备用）字
●块大小：（64K + 2K备用）字
●页面阅读/编程：
&nBSP; -随机存取：最多25us
  -顺序访问：45ns（最小）
  -页面编程时间：250us（典型值）
  -多页程序时间（2页）：250us（典型值）
●COPY BACK PROGRAM：没有延迟时间的自动块下载
●快速清除块：
  -块擦除时间：2.0ms（典型值）
  -多块擦除时间（2个块）：2.0毫秒（典型值）●缓存读取
  -内部（2048 + 64）字节缓冲区，以提高读取吞吐量。
●状态注册：
  -正常状态寄存器（读/编程/擦除）
  -扩展状态寄存器（EDC）
●块保护：保护块免受写/擦除
●硬件数据保护：在电源转换期间，程序/擦除被锁定。

3.DDR SDRAM
●双倍数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输
●x32总线宽度
●电源电压：VDD / VDDQ = 1.7-1.95 V
●存储单元阵列：16Mb x 4Bank x 32 I / O
●双向数据选通（DQS）
●输入数据屏蔽信号（DQM）
●输入时钟：差分时钟输入（CK，/ CK）
●MRS，EMRS：JEDEC标准保证
●CAS延迟：支持2或3的可编程CAS延迟

137Ball FBGA封装（顶视图）：


总线操作
有六种控制设备的标准总线操作。 它们是命令输入，地址输入，数据输入，数据输出，写保护和待机。 通常，芯片使能，写使能和读使能的毛刺小于3ns时，存储器会忽略这些毛刺，它们不会影响总线操作。

1.命令输入
命令输入总线操作用于向存储设备发出命令。 接受以下命令：芯片使能低，命令锁存使能高，地址锁存使能低和读取使能高，并在写使能的上升沿锁存。 此外，对于启动修改操作（写/擦除）的命令，写保护引脚必须为高电平。 有关时序要求的详细信息，请参见图4和表13。 命令代码始终应用于IO7：0。
2.地址输入
地址输入总线操作允许插入存储器地址。 输入4Gbit设备的地址需要五个周期。 地址被接受为芯片使能低，地址锁存使能高，命令锁存使能低和读取使能高，并在写使能的上升沿被锁存。 此外，对于启动修改操作（写/擦除）的命令，写保护引脚必须为高电平。


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