三星内存KMGD6001BM规格书/datasheet

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KMGD6001BM是一种多芯片封装存储器，结合了32GB e.MMC和24Gb（8Gb * 3）TDP LPDDR3 SDRAM.SAMSUNG eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。 eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用行业标准MMC协议v5.1对内存进行的简单读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。 NAND区域（VDDF或VCC）需要3V电源电压，而MMC控制器则支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）。三星eMMC支持HS400以提高顺序带宽，尤其是顺序读取性能。使用eMMC有很多优点。它易于使用，因为MMC接口允许与带有MMC主机的任何微处理器轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离，因此主机对NAND的任何修订或修正都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的上市时间。eMMC的嵌入式闪存管理软件或FTL（闪存过渡层）可管理损耗均衡，坏块管理和ECC。 FTL支持Samsung NAND闪存的所有功能，并实现最佳性能。

LPDDR3器件在命令/地址（CA）总线上使用双倍数据速率架构，以减少系统中的输入引脚数。 10位CA总线包含命令，地址和存储区信息。每个命令使用一个时钟周期，在此期间，在时钟的上升沿和下降沿都传送命令信息。这些器件还在DQ引脚上使用双倍数据速率架构，以实现高速操作。双倍数据速率架构本质上是一种8n预取架构，其接口设计为每个DQ在I / O引脚的每个时钟周期传输两个数据位。 LPDDR3 SDRAM的单个读或写访问实际上包括内部DRAM内核处的单个8n位宽，一个时钟周期数据传输和I处的八个相应的n位宽，半时钟周期数据传输。 / O引脚。对LPDDR3 SDRAM的读写访问是面向突发的。访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续进行编程的位置数量。访问从注册Activate命令开始，然后是Read或Write命令。与Activate命令一致注册的地址和BA位用于选择要访问的行和Bank。与Read或Write命令一致注册的地址位用于选择存储区和突发访问的起始列位置。在正常操作之前，必须初始化LPDDR3 SDRAM。下一节提供了有关设备初始化，寄存器定义，命令描述和设备操作的详细信息。

KMGD6001BM原理框图：

KMGD6001BM原理框图

特点：
e.MMC
嵌入式MultiMediaCard版本。 5.1兼容。
三星eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.1功能
-支持的功能：打包命令，缓存，丢弃，清理，关闭电源通知，数据标签，分区类型，上下文ID，实时时钟，动态设备容量，命令队列，增强的选通模式，安全写保护，HS200，HS400，字段 固件升级。
-不支持的功能：大扇区大小（4KB）与以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，multi-eMMC系统）完全向后兼容
数据总线宽度：1位（默认），4位和8位
MMC I / F时钟频率：0〜200MHz
MMC I / F引导频率：0〜52MHz

LPDDR3 SDRAM：
•双数据速率架构； 每个时钟周期两次数据传输
•双向数据选通（DQS_t，DQS_c），与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
•差分时钟输入（CK_t和CK_c）
•差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
•在正和负CK边沿上输入的命令和地址； 数据和数据掩码引用到DQS的两个边缘
•8个内部银行可同时运行
•用于写入数据的数据掩码（DM）
•爆裂长度：8
•突发类型：顺序
•读写延迟：请参阅表45 LPDDR3 AC时序表
•每个突发访问都有自动预充电选项
•可配置的驱动强度
•所有银行刷新，每银行刷新和自刷新
•部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
•写作练级
•CA校准
•HSUL_12兼容输入



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tianrenshui

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konglingzhen

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voideater

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HWL123

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starkiki

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surf39

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内存专家

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