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[资料] SL10N04S 40V N沟道增强模MOSFET

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发表于 2021-5-12 11:32:39 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
QQ截图20210425100828.png
描述
SL10N04S使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON),低栅极电荷以及栅极电压低至4.5V的操作。 该设备适合用作电池保护或其他开关应用。

一般特征
VDS = 40V ID = 10 ARDS(ON)<17mΩ@ VGS = 10V

应用
电池保护
负荷开关
不间断电源供应
   QQ截图20210512113314.png


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