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[资料] 格科微GC5035 CSP 1/5’’ 5Mega CMOS图像传感器模组设计指南

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发表于 2021-6-15 17:26:55 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
1. 外围电路参考设计
1.1 MIPI 2 lane
1.jpg
注意事项:
1.AGND 和 DGND 要分开;
2.AVDD 和 AGND 要靠近走线;
3.VOTP pin 上电容耐压要求≥10V,电容容值需为 1uf 或以上(建议使用 1uF);
4.若只有一个 GPIO 口,可以把 PWDN pin 与 RESET pin 接在一起以上几点请特别注意,否则会影响图像质量!

2、外围电路设计说明
1.GC5035芯片分三路电源:AVDD28、DVDD12、IOVDD;
AVDD28为模拟供电电源,2.7~3.0V(Typ. 2.8V);
DVDD12为数字电路供电电源,1.15~1.3V(Typ.1.2V);
IOVDD为I/O电源,1.7~3.0V(Typ.1.8V);
2.靠近芯片端电源pin脚处,加如外围电路图所示滤波电容,电容容值请严格参照外围电路图上标注的电容值放置,否则会影响图像质量;注:上述电容方案基于格科测试环境;
3.电容摆放应尽量靠近芯片端电源Pin脚;  所有电容均不可省去,否则会影响图像质量;
4.AGND和DGND请分开走线,否则会影响图像质量;
5.GND走线尽量要粗,至少加粗至0.2mm以上,尽量多打一些过孔;
6.电源线走线宽度至少加粗至0.2mm以上;
7.芯片有RESETB、PWDN pin,需要引出控制;
8.FSYNC pin与Strobe信号pin复用,默认悬空,假如需要使用同步功能,请参照datasheet或同步说明文档上的接法连接FSYNC (Strobe) pin;
9.MCP、MCN和不同组的MDP、MDN需要尽量平行走线,等长;尽量少打或不打过孔;且要远离高频信号线(如MCLK),最好是能用地线保护起来,且走线的背面也尽量是地线走线,并铺地铜作为参考层。差分线对的匹配阻抗要求为100Ω±10%;
10.MCP、MCN和不同组的MDP、MDN的走线相互之间也需要是等长的;
11.MCP、MCN和不同组的MDP、MDN之间的距离至少达到线宽的两倍。

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发表于 2021-7-19 16:43:39 | 显示全部楼层 来自 上海市
收藏了分享!!  来源作者:uuchan 原文
发表于 2021-7-20 23:19:30 | 显示全部楼层 来自 江苏省南通市
顶一个,学习了
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发表于 2021-7-21 09:21:56 | 显示全部楼层 来自 广东省惠州市
11111111111111111111
发表于 2021-8-5 22:32:50 来自手机 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
bbu7j 发表于 2021-6-15 17:26
1. 外围电路参考设计
1.1 MIPI 2 lane


学到了学到了学到了
发表于 2021-8-24 17:09:33 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
111111111111111111
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发表于 2021-9-26 20:13:06 | 显示全部楼层 来自 上海市
好东西 谢谢分享
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发表于 2021-10-20 13:00:45 | 显示全部楼层 来自 北京市
学习一下。。。。。。
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发表于 2021-11-2 10:18:40 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
好资料,必须下载看看
发表于 2022-1-4 09:27:14 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
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