SK海力士内存H9HP27ADAMADAR-KMM数据手册/datasheet

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H9HP27ADAMADAR-KMM特点：
1、eMMC
  • eMMC5.1 兼容（向后兼容 eMMC4.5&eMMC5.0）
  • 总线模式
  - 数据总线宽度 : 1bit(默认), 4bits, 8bits
  - 数据传输率：高达 400MB/s (HS400)
  - MMC I/F 时钟频率：0~200MHz
  - MMC I/F 启动频率：0~52MHz
  • 工作电压范围
  - Vcc (NAND) : 2.7V - 3.6V
  - Vccq（控制器）：1.7V - 1.95V
  • 温度
  - 操作 (-25℃ ~ +85℃)
  - 无操作储存 (-40℃ ~ +85℃)
  • 支持的功能
  - HS400, HS200
  - HPI、BKOPS、BKOP操作控制
  - 缓存、缓存屏障、缓存刷新报告
  - 分区、RPMB、RPMB 吞吐量提高
  - 写保护，安全写保护
2、LPDDR4X
· VDD1 = 1.8V（1.7V 至 1.95V）
· VDD2 = 1.1V（1.06V 至 1.17V）
· VDDQ = 0.6V（0.57V 至 0.65V）
· 具有 VSSQ 终端的可编程 CA ODT 和 DQ ODT
· VOH补偿输出驱动器
· 单数据速率命令和地址输入
· 数据总线的双倍数据速率架构；
  - 每个时钟周期两次数据访问
· 差分时钟输入（CK_t、CK_c）
· 双向差分数据选通（DQS_t、DQS_c）
· DMI 引脚支持写数据屏蔽和 DBIdc 功能
· 可编程RL（读取延迟）和WL（写入延迟）

H9HP27ADAMADAR-KMM原理框图：


DRAM引脚说明：

符号	类型	描述
DQS[1:0]_t_A, DQS[1:0]_c_A, DQS[1:0]_t_B, DQS[1:0]_c_B	I/O	读选通：DQS_t 和 DQS_c 是双向差分输出时钟信号，用于在读或写期间选通数据。数据选通由 DRAM 为 READ 生成，并与数据边缘对齐。 Data Strobe 由存储器控制器为 WRITE 生成，并与数据中心对齐。每个数据字节都有一个数据选通信号对。每个通道（A 和 B）都有自己的 DQS 频闪。
DMI[1:0]_A, DMI[1:0]_B	I/O	数据掩码反转：DMI 是一个双向信号，当数据总线上的数据反转时被驱动为高电平，当数据处于正常状态时被驱动为低电平。可以通过模式寄存器设置禁用数据反转。每个字节的数据都有一个 DMI 信号。每个通道（A 和 B）都有自己的 DMI 信号。
ZQ	Reference	校准参考：用于校准输出驱动强度和终端电阻。每个管芯有一个 ZQ 引脚。 ZQ 引脚应通过 240-Q ± 1% 电阻器连接到 VDDQ。
VDD1, VDD2, VDDQ	Supply	电源：在芯片上隔离以提高抗噪性。
VSS	GND	接地参考：电源接地参考。
RESET_n	Input	RESET：当置为低电平时，RESET 引脚会复位芯片的两个通道。

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H9HP27ADAMADAR-KMM谢谢，

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