美光内存芯片MT29PZZZ8D5WKFMW数据手册/datasheet

不能说的秘密

美光MCP产品MT29PZZZ8D5WKFMW在单个 MCP 中结合了 e·MMC 和移动LPDRAM器件。这些产品针对具有低功耗、高性能和最小封装尺寸设计要求的移动应用。 NAND 闪存和移动 LPDRAM 器件也是美光分立存储器产品组合的成员。e·MMC 和移动 LPDRAM器件封装有单独的接口（没有共享地址、控制、数据或电源球）。 这种总线架构支持与具有独立 e·MMC 和移动 LPDRAM 总线的处理器的优化接口。 e·MMC 和Mobile LPDRAM 器件具有独立的内核电源连接并共享一个公共接地（即VSS 绑在两个器件上）。该器件的总线架构还支持独立的e·MMC 和Mobile LPDRAM 功能，无需担心器件 相互作用。



特征
• Micron®e·MMC 和 LPDDR2 组件
• e·MMC 中的 MLC NAND 闪存
• 符合 RoHS 标准的“绿色”封装
• 独立的 e·MMC 和 LPDDR2 接口
• 节省空间的多芯片封装
• 低电压工作 VDD (1.70–1.95V)
• 双电压 VCCQM（1.70–1.95V、2.7–3.6V）
• 无线温度范围：–30°C 至 +85°C

e-MMC 特定功能
• 符合 JEDEC/MMC 标准版本 4.51，不支持 SPI 模式 1
– 先进的 11 信号接口
– x1、x4 和 x8 I/O，可由主机选择
– SDR/DDR 模式高达 52 MHz 时钟速度
– HS200 模式
- 实时时钟
– 临时写保护
– 启动操作（高速启动）
- 睡眠模式
– 重放保护内存块 (RPMB)
– 硬件复位信号
– 具有增强属性的多个分区
– 永久和开机写保护
– 高优先级中断 (HPI)
– 后台操作
– 可靠的写入
– 丢弃和消毒
– 扩展分区
– 上下文 ID
– 数据标签
– 打包命令
– 动态设备容量
– 向后兼容以前的 MMC

移动 LPDDR2 特定功能
• 超低电压 1.2V 核心电源
• 1.2V HSUL 兼容输入
• 可编程读写延迟
• 可编程突发长度：4、8 或 16
• 部分阵列自刷新 (PASR)
• 深度掉电 (DPD) 模式
• 可选择的输出驱动强度
• 可调时钟频率和时钟停止能力

独立于 NAND 闪存技术的 MMC 协议
MMC 规范定义了主机和设备之间的通信协议。 该协议独立于设备中包含的 NAND 闪存功能。该设备具有管理 MMC 通信协议的智能板载控制器。该控制器还处理逻辑块分配和磨损均衡等块管理功能。 这些管理功能需要复杂的算法，并且完全依赖于 NAND 闪存技术（代或存储单元类型）。设备在内部处理这些管理功能，使它们对主机处理器不可见。

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鸿伟创新

好资料，学习了

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kisjegr

4.0 封装尺寸和引脚说明