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[资料] ASC60N900MT4 900V N沟道MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2021-7-22 14:50:05 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
碳化硅 (SiC) ASC60N900MT4 MOSFET使用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。因此,系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。
1.jpg

特征
-低电容高速开关
-低RDS(on)的高阻断电压
-使用标准栅极驱动器驱动简单
-100% 雪崩测试
-最高结温 150°C
-符合 ROHS

应用
-电动汽车充电
-DC-AC逆变器
-高压 DC-DC 转换器
-开关电源
-功率因数校正模块
-电机驱动

绝对最大额定值(Tc=25℃)
SymbolParameterValueUnit
VdsDrain-Source Voltage900V
IdDrain Current(continuous)at Tc=25°C60A
IdDrain Current(continuous)at Tc=100°C40A
IdmDrain Current (pulsed)200A
VgsGate-Source Voltage-10/+20V
PdPower Dissipation Tc = 25°C208W
Tj, TstgJunction and Storage Temperature Range-55 to+150°C


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