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意法半导体STL220N3LLH7 N沟道功率MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2021-10-26 17:45:26 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL220N3LLH7器件具有较低的导通电阻和电容,可提高传导和开关性能。
1.jpg

特点:
• 极低的导通电阻
• 非常低的Qg
• 高雪崩坚固性

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage30V
VGSGate-source voltage±20V
ID(1)Drain current (continuous) at Tc = 25 °C220A
ID(1)Drain current (continuous) at Tc = 100 °C160A
IDM(1)(2)Drain current (pulsed)880A
ID(3)Drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C50A
ID(3)Drain current (continuous) at Tpcb = 100 °C32A
IDM(2)(3)Drain current (pulsed)200A
Ptot(1)Total dissipation at Tc = 25 °C113W
Ptot(3)Total dissipation at Tpcb = 25 °C4W
TjMax. operating junction temperature-55 to 150°C

注:
1. 该值是根据 Rthj-c 评定的
2. 脉冲宽度受安全工作区限制。
3. 该值是根据 Rthj-pcb 评定的

电气特性(TC = 25 °C 除非另有说明)
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ-Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageId - 250 pA, VGS = 030V
IDSSZero gate voltage drain currentvGS = ov VDS = 24V1μA
IgssGate-body leakage currentVgs = ±20 V, VDS = 0±100nA
VGS(th)Gate threshold voltageVds = Vgs,ID = 250 pA1.22.2V
RDS(on)Static drain-source on-resistanceVGs = 10V, lD = 25A0.000810.0011Ω
VGS = 4.5 V, lD = 25 A0.001150.0015Ω


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2021-10-26 17:44 上传
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