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意法半导体STL75N3LLZH5功率MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2021-11-23 17:55:36 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL75N3LLZH5是一款N沟道STripFET™V功率MOSFET,旨在实现极低的导通电阻,同时提供一流的品质因数(FOM)之一。

特征
■ RDS(on) * Qg 行业标杆
■ 极低的导通电阻RDS(on)
■ 非常低的开关栅极电荷
■ 高雪崩坚固性
■ 低栅极驱动功率损耗
■ 内置 G-S 齐纳二极管
1.jpg

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage (VGS = 0)30V
VGSGate-source voltage±18V
ID(1)Drain current (continuous) at Tc = 25 °C75A
ID(1)Drain current (continuous) at Tc = 100 °C47A
ID(2)Drain current (continuous) at Tc = 25 °C19A
ID(2)Drain current (continuous) at Tc=100°C11.8A
IDM(3)Drain current (pulsed)76A
PTOT (1)Total dissipation at Tc = 25°C60W
PTOT (2)Total dissipation at Tc = 25°C4W
TJDerating factor0.03W/°C
TstgOperating junction temperature Storage temperature-55 to 150°C

1. 该值是根据 Rthk-c 评定的
2. 该值是根据 Rthk-pcb 评定的
3.脉冲宽度受安全工作区限制

电气特性(TCASE = 25 °C,除非另有说明)
On/off states:
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ-Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageId = 250 pA, VGS= 030V
IDSSZero gate voltage drain current (VGS = 0)VDS= max rating, VDS = max rating @125 °C1 10μA
IGSSGate body leakage current (VDs = 0)Vgs = ±18V±10μA
VGS(th)Gate threshold voltageVDs= Vgs,Id = 250 pA1V
RDS(on)Static drain-source on resistanceVGS= 10 V, lD= 9.5 A VGS= 4.5 V, lD= 9.5 A0.0055 0.00660.0061 0.0078Ω


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2021-11-23 17:55 上传
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