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[原创] ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线

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发表于 2021-12-23 16:59:53 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
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AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON),适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线。

AO3400概述
30V N沟道MOSFET
Vds 30V
Id(Vgs=10v情况下) 5.8A
Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ
Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ
Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <52mΩ
AO3400.jpg
AO3400参数描述
型号:AO3400
封装:SOT-23
电性参数:5.8A 30V
漏源电压(Vds):30v
栅源电压 (Vgs):±12v
连续漏极电流(Id 25°C):5.8A
连续漏极电流(Id 70℃):4.9A
功率损耗(PD 25℃):1.4W
功率损耗(PD 70℃):0.9W
结点和存储温度范围(温度范围):-55~150℃

了解AO3400输出特性曲线:
输出特性曲线是在VDS之间不加其他负载的情况下绘制的,所以输出特性曲线上的ID就是在UGS电压下ID所能提供的最大电流。从原理上讲,DS之间有一个电阻,由UGS和UDS控制,就是沟道。当它工作在恒流区时,这个电阻只受UGS控制,所以当工作在恒流区时,可以通过改变UGS来改变RDS的电阻,流过它的电流ID就会改变。

实际控制过程实际上是通过UGS来控制沟道电阻的变化,电阻的变化引起电流ID的变化。在实际分析计算过程中,跳过了沟道控制环节,直接用gm低频互导参数代替UGS与ID的变化关系,该参数取自转移特性曲线。

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