先进的前端模块架构经过专门设计，可使用标准CMOS技术在所有工作条件下以高效率实现高输出功率。 没有温度，频率或电池的外部补偿是在各种条件下满足RF性能的另一个优势。 该模块以小型LGA格式（7.0mm x6.0mm x0.93mm）封装。
产品特点：
高输出功率
•在GSM850 / EGSM900上为33.5dBm
•DCS1800 / PCS1900时为31.0dBm
高功率附加效率
•GSM850 40％PAE
•EGSM900 42％PAE
•DCS1800 35％PAE
•PCS1900 35％PAE集成控制和保护
应用领域
•VBATT工作范围3.0V至4.5V
•完整的电源控制解决方案
•先进的CMOS工艺
•LGA 7.0毫米x6.0毫米x 0.93毫米
•四频手机
•多模手机应用
•符合GPRS Class 12
•便携式电池供电设备
参数 | Rating | Unit |
电源电压 | -0.5 to 5.5 | Vdc |
斜坡电压（VRAMP） | -0.5 to 3.0 | V |
输入射频功率 | 10 | dBm |
工作箱温度 | -20 to 85 | °C |
贮存温度 | -55 to 150 | °C |
最大占空比 | 50 | % |
ESD所有引脚，人体模型ANSI / JEDEC / EDSA标准JS-001-2010 | 2,000 | V |
ESD天线端口（IEC 61000-4-2） | 8 | kV |
