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CMOS
CMOS
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的
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图像传感器
mjdic
2024-1-29
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mjdic
2024-1-29 10:42
IMX700-AAEH5-H对角线12.492mm CMOS 图像传感器datasheet
Sony Camera
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2024-1-15
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kelvin123
6 小时前
SONY IMX678-AAQR1 8.86毫米(1/1.8型)829万像素CMOS固态图像传感器 ???
Sony Camera
web_cheak
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小叶来入坑
2023-7-15 12:35
SC031GS 640H*480V@180fps CMOS图像传感器datasheet
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BGA72封装的CMOS芯片都有哪些?
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2023-3-10
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jianghuiyan
2023-3-10 17:02
三星S5K4H5YA04 S5K4H5YA04-FGX2 Approval Sheet
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2023-2-22 16:09
索尼IMX327LQR/LQR1 CMOS 有源像素型固态图像传感器
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拼博的佛
2023-2-2
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a919191
2023-4-13 10:17
索尼IMX464LQR/LQR1 9.04mm(Type 1/1.8)CMOS 有源像素型固态图像传感器
Sony Camera
拼博的佛
2023-2-14
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xiaohu590
2024-2-1 09:22
供应三星S5K3M5SX05图像传感器CMOS
图像传感器
17301972469
2023-12-25
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17301972469
2023-12-25 12:22
东芝高分辨率 CMOS 摄像头 CSC6M100BMP11/CSC6M100CMP11 产品规格
东芝Camera
xzhask
2023-11-30
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xzhask
2023-11-30 11:48
出售安森美传感器 AR0330CM1C12SHKA0-CP 图像传感器 3 MP 1/3 CIS
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mjdic
2023-11-16
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mjdic
2023-11-16 14:00
索尼IMX226CQJ 9.33mm 1240万有效像素的彩色CMOS图像传感器
Sony Camera
拼博的佛
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XhardXcoreX
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三星camera S5K2X8S 1/2.3" 24MPix CMOS 图像传感器datasheet
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munk00
2024-1-3 11:14
三星Camera 支持WDR、PD-AF和60 fps FHD的1/2.6"16M CMOS 图像传感器
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枫凌晨天
2022-9-19 19:20
IMX334LQR-C 方形像素对角线 8.86 毫米CMOS 固态图像传感器datasheet
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不吃辣都是坏人
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2023-10-23 20:53
三星camera 1/5" 5M CMOS图像传感器datasheet
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枫凌晨天
2022-9-29 10:53
三星camera S5K2P8XX 1/2.6" 16M CMOS 图像传感器datasheet
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buwan11
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munk00
2023-11-23 23:06
三星Camera S5K2P8XX 1/2.6" 16M CMOS 图像传感器datasheet
三星Camera
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gnufeng
2022-10-2 21:38
三星Camera S5K2P8XX 1/2.6" 16Mp CMOS图像传感器CIS datasheet
三星Camera
在梦里编程
2022-9-22
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munk00
2023-11-30 01:24
三星Camera S5K3L2XX 1/3.06" 13Mp CMOS图像传感器CIS datasheet
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Hokkien
2022-9-20
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Sasuke
2024-1-18 09:59
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“CMOS”
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A3P030-VQG100的相关技术资料描述
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shuxia6699
2019-5-5 21:43
A3P030-VQG100描述:闪光的ProASIC3系列FPGA具有可选的软ARM支持; 时间模型 A3P030-VQG100特性和好处 高容量 盖茨15k1M系统 144来提供真正的双端口SRAM 300用户的I/o 可重复编程的Flash技术130nm,七层金属铜(6),基于flash的CMOS过程即时0级支持单片机 解决方案保留程序设计时关闭。 A3P030-VQG100高性能 350MHz系统性能 3.3V,66MHz64位PCI__ 在系统编程(ISP)和安全 ISP使用片上128位高级加密标准 (AES)解密(除了手臂启用ProASIC3设备) 通过JTAG(IEEE1532-兼容) FlashLock,以确保FPGA的内容 低功率 核心电压为低功率 支持1.5V-Only系统 低阻抗的闪光灯开关 高性能路由层次结构 分段、分层路由和时钟结构 先进的I/O 700MbpsDDRLVDS-CapableI/Os(A3P250及以上) 1.5V,1.8V,2.5V和3.3V混合电压操作 广泛每JESD8-B供电电压支持, 允许I/o操作从2.7V至3.6V Bank-SelectableI/O电压4银行每个芯片 单端I/O标准:LVTTLLVCMOS3.3V/ 2.5V/1.8V/1.5V,3.3VPCI/3.3VPCI-X__和LVCMOS 2.5V/5.0V的输入 微分I/O标准:LVPECLLVDSB-LVDS, M-LVDS(A3P250及以上) I/O寄存器在输入、输出,使路径 支持热插拔和冷爱惜I/Os 可编程输出转换速率__和驱动力量 弱上拉/市场 IEEE1149.1JTAG边界扫描测试 Pin-Compatible包在ProASIC3家庭 时钟调节电路(CCC)和锁相环 6CCC块,有一个集成锁相环 可配置相移、乘/除,延迟功能 和外部反馈 输入频率范围宽(1.5兆赫到350兆赫) 嵌入式内存__ 1kbitFlashROM用户非易失存储器sram和fifoVariable-Aspect-Ratio4608位内存块(×1×2×4×9×18组织)真正的双端口SRAM(×18除外)ARM处理器ProASIC3fpga的支持M1ProASIC3业务皮层M1软处理器有或没有调试。 A3P030-VQG100注: 1.A3P015不建议新设计。 2.参考Cortex-M1产品短暂的更多信息。 3.AES不是可供Cortex-M1ProASIC3设备。 4.六个芯片(主要)和三个象限全球网络可供A3P060以上。 5.M1A3P250设备不支持这个包。 6.更高的密度和附加功能的支持,请参阅ProASIC3EFlash家庭fpga数据表
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索尼发布的三层堆叠CMOS传感器中的“黑科技”
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2017-2-23 11:26
近日,沉寂已久的索尼在MWC大会上发布了三层堆叠CMOS传感器,这则新闻几乎刷爆了所有的科技媒体。那么,这款传感器到底有何神奇之处?相比前代产品有何进步呢?要弄明白这些问题,我们必须明白CMOS是如何一步步发展到今天这个样子的。 CMOS的画质升级之路 CMOS全称为Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体),简单说来就是捕捉我们要拍摄画面光学信息的传感器,其获取光线信息的部分即是像素区域,我们常常说的几千万像素,指的就是CMOS的传感器部分拥有的独立感光单元的数量,众多的感光单元(像素)排列在一起就能够接受一个平面的光学信息,一定面积中数量越多,画面也就越清晰。 第一代CMOS并没有采用什么“背照式”、“堆栈式”等技术,我们通常将其称之为“前照式”,这种CMOS在像素区域和最上方的镜片间还有一层金属排线,这层金属会在每个像素上留出一个孔供光线进入,但是这种结构终究多了一些阻挡,每个像素就像是在井内看天空一样,受到了阻挡,所以成像效果并不能让人满意。 为了解决这个问题,自然而然地想法就是去掉像素区域上方的金属排线遮挡”,背照式CMOS随之而来。背照式CMOS使用的是一个非常直接的思路:将金属排线从像素区域上方移到了下方,失去了遮挡的像素区域自然像脱了缰的野马,成像实力大大提升。 那么如果还想提升成像,还能怎么办呢?索尼又想到一句至理名言:“底大一级压死人”。现在相同面积的基板上,“背照式”CMOS的像素区域仅占整个传感器一部分的面积,其他一部分都是“处理回路”,也就是管理像素区域的部分。如果能够把整个CMOS的面积都利用成为“像素区域”,那么成像就能进一步提升。所以“背照式”就应运而生了,索尼将“处理回路”部分移到了像素区域下方,用电路板取代了之前的支撑衬底,由此换来了更大的感光面积,带来了更好的画质。 到此为止,在智能手机能够使用的CMOS体积上,索尼已经将画质提升到了结构、体积限制下能够达到的极致,接下来该如何升级呢?索尼给出的答案是用三层堆叠CMOS来提升拍照过程中的处理速度。 画质已达极致,接下来的突破口就是速度 天下武功,唯快不破。相比之前的 双层结构 “堆栈式”CMOS,三层CMOS在这一基础上又增加了一层DRAM缓存。 DRAM作为现在速度最快的数据存储、传输介质,能够极大地提升影像传感器的数据读出,以前手机连拍、视频画质不够、速度不快、视频帧数低等问题都能通过三层CMOS完美解决。有了这层DRAM缓存,手机终于能够将现在CMOS的全部潜力完全榨干,不仅在静态图片上得到极高的画质和拍照体验,视频和连拍同样如此。 这种全新的CMOS传感器拥有更快速的数据读取速度,其全高清分辨率下慢动作视频捕捉最快可达到1000fps。 举个例子,对于一张1930万像素的照片来说,IMX318作为传统堆栈式CMOS,从像素区域传输到ISP中进行数据处理需要1/30s,这种速度会造成轻微的失真,类似于视频拍摄中的果冻效应,而三层CMOS的这一过程仅需要1/120s,速度是IMX318的四倍。 在视频拍摄过程中就能够通过数字直观感受到两者的区别了。IMX318支持1080p的视频录制最高仅有120fps,也就是一秒120帧,而三层堆叠CMOS可达1000fps,差距有夸张的八倍!4K视频录制IMX318为30fps,三层堆叠CMOS则为60fps。这意味着采用新CMOS的手机可以拍摄比之前的手机慢8倍的慢动作视频,堪比专业高速摄影机。索尼表示,这种新型的CMOS传感器还包括了用于解决包括三层叠结构之间的噪声信号等多种技术问题的解决方案。 目前,暂时还没有关于全新CMOS何时量产的准确消息,但从曝光的信息来看,这无疑是智能手机摄影的伟大进步。
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