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RDASW29

RDASW29是一种SOI CMOS MMIC单极双掷(SP2T)高功率开关,采用低成本的微型1.105mm×0.705mm×0.40mm封装,其特点是6个凸点WLCSP,217μm直径,400um螺距。RDASW29适用于需要高功率、高线性度、低插入损耗和小尺寸的应用。典型的应用程序用于连接独立的手机系统
RDASW29芯片特点:
插入损耗低
低谐波
高隔离度
所有港口的ESD保护
SOI CMOS工艺
微型1.105mm×0.705mm×0.40mm package, 6-bump WLCSP, 217um diameter, 400 um pitch
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TEL: 19168984579

工作时间:
周一到周五 9:00-11:30 13:30-19:30
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