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STL70N2LLH5

STL70N2LLH5是采用STMICroelectronics的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件已经过优化,可实现极低的导通电阻,有助于实现同类产品中最好的FOM。

STL70N2LLH5特征:
■ RDS(on) * Qg 行业基准
■ 极低的导通电阻RDS(on)
■ 非常低的开关栅极电荷
■ 高雪崩强度
■ 低栅极驱动功率损耗
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