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stl57n65m5.pdf

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更新日期:2022-8-24 14:34

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意法半导体STL57N65M5是基于MDmesh™M5创新垂直工艺技术与著名的PowerMESH™水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品提供极低的导通电阻,使其特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。特征[*]极低的RDS(on)[*]低栅极电荷和输入电容[*]出色的切换性能[*]100%雪崩测试应用[*]切换应用程序表1:设备摘要1、电气额定值表2:绝对最大额定值备注:(1)该值是根据Rthj-case额定和封装限制的额定值。(2)脉冲宽度受安全工作区......

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