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Si24R1 Datasheet,Si24R1 2.4G RF芯片规格书
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[NFC技术资料]
Si24R1 Datasheet,Si24R1 2.4G RF芯片规格书
DN13
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DN13
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发表于 2019-9-12 14:26:53
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Si24R1
是一颗由无锡中科微专为低功耗
无线通信
应用场合设计的一颗自有知识产权的2.4G RF
芯片
。目前主要针对低功耗的校讯通、2.4G停车场、智能家居、无线音频等领域。
当然,这颗芯片进入大众的视野是与友商的
nRF24L01
P芯片兼容通信。从而被打上了国产NRF24L01P的标签,更有甚者居然磨掉芯片原本的SI24R1的LOGO打成NRF24L01P,给很多客户产生了很多不必要的损失。大家定向的理解,国产的东西总是会比国外进口的相差到哪里哪里,如此云云。其实,在很多客户在使用Si24R1的时候,通过一定的控制与设计,是可以发挥Si24R1自己独特的。
不同的芯片设计需要不同的射频布线以及MCU的控制,那么我下面要分享几点自己所知道的一些问题以及解决办法:
1.进入低功耗(关断)模式后,功耗可能还在1mA左右,正常应该在1.5uA左右。
解决办法:由于芯片采用CMOS工艺,当芯片处于关断模式时,芯片的数字输入引脚,CE,CSN,SCK,MOSI,必须为低电平,即关断模式下,和上述四路输入引脚相连的MCU的输出必须为低电平,不能为高阻状态或高电平。否则由于输入端累积电荷,会导致内部电路不能关断,而使得功耗增加。
2.当使用Si24R1号称7dbm的发射功率的时候,距离好像没有增加太多,而且无线音频客户觉得会有很大的噪声。
解决办法:
一、友商的nRF24L01+不要求芯片底部的金属焊盘接地,Si24R1规格书上也没要求接地,这是因为发射功率较低只有0dbm的情况,当芯片发射功率大于0dbm以后,芯片底部的金属焊盘会有很多白噪声耦合到地,而nRF24L01+的
参考设计
金属PAD下面有走3.3V的电源线,如果使用Si24R1 7dbm的发射功率,没有将底部的3.3V走线移除的话,那些噪声会干扰到电源,从而会增加通信的丢包率以及通信距离。有一些网友在网上提出,使用Si24R1替换NRF24L01P电源处需要多加一个大电容去滤波,这种做法是在一定的设计上是可行的,但是还是有一些朋友的问题没有解决。故,为达到更好的性能,特别是发射较大功率时,建议用户芯片底部PAD全部接地,将3.3V走线重新布线。
二、无线音频客户做到第一点后还无法解决有噪声的问题,需要考虑这个噪声的来源,电源的纯净度,因为SI24R1相比对电源更加敏感一些,用户可以通过走线顺序来改进。本来电源的走线顺序为LDO-MCU-ADC-RF,整个流程设计下来,走线方便也符合流程,但是这样的设计弊端就是整个MCU与ADC转换(实际噪声MAKEr)的噪声全部
串扰
到RF的电源中,从而影响无线通信。故,用户可以更改电源走线设计,LDO出来后分两路,一路给到RF,一路给到MCU+ADC。
3.用户一直在使用nRF24L01P,替换成Si24R1后发现功耗突然大了许多。
解决办法:对于已经使用nRF24L01+的用户,通常用户会将发射功率配置在0dbm,而此时的寄存器配置对于Si24R1来说,此时的发射功率是4dbm,此时消耗电流为16mA,比0dbm配置消耗的电流要大4-5mA,当系统采用纽扣电池供电时,需要注意这个问题。如果不需要大的发射功率请将发射功率的配置调整到小功率模式,具体配置,参考芯片手册(可配置为100模式,1dbm发射功率模式)。Si24R1的最大功率是7dbm
Si24R1
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hhwnlrmqiqi
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发表于 2021-5-28 08:45:44
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locklilu
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发表于 2021-6-7 10:07:29
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