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[RFID技术资料] SI24R2E集成NVM的超低功耗2.4GHz GFSK/FSK无线发射芯片规格书

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发表于 2019-11-22 10:13:10 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市南山区
Si24R2E是一颗工作在2.4GHz ISM频段,专为低功耗有源RFID应用场合设计,集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz,共有126个1MHz带宽的信道。

SI24R2E的引脚图:
SI24R2E12.png

SI24R2E的管脚功能定义:

R2E.png


当打开启自动发射功能,内部Watchdog与内部RCOSC工作时,芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部Timer定时到时,自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射,数据发射完成后,芯片立即进入睡眠状态,因此Si24R2E的平均功耗非常低,对于电池供电应用,可以非常容易实现五年以上的待机时间。

Si24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部MCU,可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下,无需外部高压,外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程,芯片最大可编程次数为128次,芯片支持NMV加锁,防止NVM配置数据回读,保证用户数据安全。

Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要额外接口,外部微控制器(MCU)通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射,芯片完全兼容Si24R1发射功能,在不打开自动发射功能时,芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。

Si24R2E具有非常低的系统应用成本,可以不需要外部MCU,仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源,保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。

SI24R2E规格书

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发表于 2021-4-15 15:38:43 | 显示全部楼层 来自 广东省东莞市
谢谢楼主分享,收藏参考学习下
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发表于 2021-12-1 13:42:00 | 显示全部楼层 来自 北京市丰台区
学习学习学习
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发表于 2022-1-22 22:03:15 | 显示全部楼层 来自 辽宁省沈阳市
再看看别人是怎么说的* i; x9 t2 c7 _# e) m
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发表于 2022-1-22 22:04:29 | 显示全部楼层 来自 辽宁省沈阳市

再看看别人是怎么说的* i; x9 t2 c7 _# e) m
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发表于 2022-2-14 17:46:26 | 显示全部楼层 来自 广东省广州市
多谢老铁的分享!!!
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发表于 2022-2-19 09:55:58 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
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