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1.原理图设计注意事项
DDR
1）ZQ: 接240Ω 1%电阻到地。
2）VREF做分压，从 VDDMEM 分压取得，分压电阻为 100K 1%，去耦电容 100nF。
电源
1）电源的高频阻抗与电源的感应系数有关。在 VDDMEM,VDDCORE 和地之间要加多级电容滤波，譬如 10uF+0.1uF+0.01uF，可以增加电容的滤波范围，减小电源上的高频阻抗。
2) 如果某个模块在产品中不需要，那么电源 PIN 的磁珠可以省略，但是供电不可以省略。
3）T30的电源划分
VDDCORE要求供电能力不少于1A,VDDMEM要求供电能力不少于1A，DDRPLL_AVD18,DDRPLL_AVD10,PLL0_AVD,PLL1_AVD,SADC_AVD,CODEC_AVD,CSI_AVD10,CSI_AVD18使用磁珠（1kΩ@100MHz）与其他相同电平电源隔离。
T30的Boot方式
支持常用的SFC boot，SD boot
时钟
T30需要外接一个24MHz工作时钟，最大偏差30ppm。R4作为反馈电阻可以NC处理，典型电路如下：
RTC时钟需要一个32.768K时钟电路，同样也需要在晶体两个管脚之间并一个10M欧姆的反馈电阻，否则晶体可能不起振。若 RTC 模块需要保持时间独立运行，则 RTC_VDDIO 和 RTC_VDD 需要独立供电，并且 WAKEUP 管脚需要接上拉 100K 欧姆电阻上拉至 RTC_VDDIO。
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发表于 2019-12-27 15:21:21
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