ON半导体AP0100CS是一种高−性能,超−低功耗的线路,数字图像处理器优化与高动态范围(HD R)传感器使用。 AP0100CS提供全自动−功能 支持(AWB和AE)和自适应局部音调映射(ALTM),以增强HDR图像和先进的降噪,使优良的低−光性能。
关键性能参数
特征
高达1.2MP(1280x960)的半导体传感器支持
45fps在1.2MP,60fps在720p
优化操作与HDR传感器
颜色和伽马校正
自动曝光,自动白色巴兰 CE,50/60Hz自动闪烁检测和避免
自适应局部音调映射(ALTM)
可编程空间变换引擎(ST E)
预−渲染图形覆盖
两个−线串行编程接口(CCIS)
接口到低−成本Flash或EPROM通过SPI总线(配置和lOAD补丁等。) 支持高−级主机命令接口
独立操作
功能概述
显示相机系统中AP0100CS的典型配置。 在主机侧,采用两个−的导线串行接口来控制
使用AP0100CS与主机之间的模拟或并行接口传输图像数据。 传感器的AP0100CS接口也使用并行接口。
系统接口
典型的并行配置,“在第3页和图3:“典型的HiSPI配置”,在第4页显示典型的AP0100CS设备连接。 所有电源栏杆必须与地面脱钩使用 电容器尽可能靠近包装。 到传感器和主机接口的AP0100CS信号可以在不同的电源电压水平上优化功耗,最大限度地提高灵活性。 第1页表1提供了AP0100CS的信号描述。
注:
1此典型配置只显示此设备的多个可能变化中的一个场景。
2ON半导体推荐两个−线串行间的1.5k电阻值面部RPULL−UP;然而,更大的值可以用于较慢的传输速度。
3RESET_BAR有一个内部拉−上电阻,如果不使用,可以保持浮动。
4的去耦电容器调节器输入和输出的值应为1.0F。 电容器应是陶瓷的,需要有X5R或X7R介质。
5TRST_BAR连接到GND进行正常操作。
6在塞米科Nductor建议,每个电源的0.1F和1F去耦电容器安装在尽可能靠近引脚的地方。 实际值和数字可能因布局和设计而有所不同 deration。
文件下载,请回复
- 文件大小:
- 1.59 MB
- 下载次数:
- 6
- 附件售价:
-
3 RD币 购买记录
- 安森美AP0100CS高动态范围(HDR)图像信号处理器(ISP)
-
本地下载
立即购买
|