FM64D1G12A 1.8V NAND Flash＋DDR SDRAM多芯片包数据说明书

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NAND Flash是一个64Mx16位，有2Mx16位备用容量。在1.8VVCC电源中提供NAND闪存。NAND电池为固态提供了最具成本效益的解决方案大规模储存市场。内存被分成的块可以独立擦除，这样就可以保持有效的当旧数据被擦除时，数据。NAND Flash包含1,024个块，由64页组成由32个串联Flash的两个NAND结构组成细胞。程序操作允许编写1,056字的页面在典型的250us中，可以在中执行擦除操作典型的2ms上的64K字的设备块。页面模式下的数据可以在每45ns的循环时间读出字节。I/O引脚作为地址和命令的端口输入以及数据输入/输出。复制回功能允许优化缺陷块管理：当页面程序操作失败，数据可以直接在同一数组部分的另一个页面中编程没有耗时的串行数据插入阶段。缓存程序特性允许在缓存中插入数据当数据寄存器被复制到Flash数组时注册。这种流水线程序操作改进了程序当长文件写入内存中时，吞吐量。还实现了缓存读取功能。此功能允许当连续时，读取吞吐量显著提高页面必须被流出来。NAND Flash包括额外功能：自动读取在电源上升。

别针描述

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结构图

结构图

Mobile DDR SDRAM电气规格
所有电压都参考VSS(GND)。
上电后，等待超过200μs，然后在适当的设备前执行顺序和CBR（自动）刷新操作是实现的。

将DDR移动RAM按照以下顺序在上电序列中初始化：
1.提供电源，设备核心电源(VDD)和设备I/O电源(V DDQ)必须同时启动，以防止设备闭锁。虽然不需要，但建议VDD和VDDQ来自同一电源。也主张和保持时钟启用(CKE)到LV-CMOS逻辑高水平。
2.一旦系统建立了一致的设备功率和CKE驱动高，就可以安全地应用稳定的时钟。
3.在给DRAM任何命令之前，必须至少有200μs个有效的时钟。在此期间，NOP或取消选择(DESL)命令必须在命令总线上发出。
4.发出预充电所有命令。
5.提供至少tRP时间的NOPS或DESL命令。
6.发出自动刷新命令，然后是NOPS或DESL命令，至少有tRFC时间。 发出第二个自动刷新命令后面跟着NOPS或DESL命令至少tRFC时间。 注意，作为初始化序列的一部分，必须发出两个自动刷新命令。 典型的流程是在步骤6发布它们，但它们也可能在步骤10和11之间发布.
7.使用MRS命令，加载基本模式寄存器。 设置所需的操作模式。
8.提供至少tMRD时间的NOPS或DESL命令。
9.使用MRS命令，为所需的操作模式编程扩展模式寄存器。
10.提供至少tMRD时间的NOP或DESL命令。
11.DRAM已正确初始化，并已准备好接受任何有效命令。


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