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碳化硅ASC20N1200MF3 MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2021-1-29 11:28:28 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
碳化硅(SiC)ASC20N1200MF3 MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加了功率密度,减少了EMI和减小的系统尺寸。

产品特点:
低电容的高速开关
高阻断电压和低RDS(on)
使用标准门极驱动器易于驱动
EMI和性能均衡
符合ROHS


应用
LED照明
充电器
适配器
电视电源
电信电源
服务器电源
太阳能/ UP


绝对最大额定值(Tc = 25℃)
SymbolParameterValueUnit
VdsDrain-Source Voltage1200V
IdDrain Current(continuous)at Tc=25°C20A
IdDrain Current(continuous)at Tc=100°C10A
IdmDrain Current (pulsed)40A
VgsGate-Source Voltage-10/+20V
PdPower Dissipation Tc = 25°C208W
Tj TstgJunction and Storage Temperature Range-55 to+150°C


封装图:
11.jpg



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