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碳化硅(SiC)ASC30N1200MT3 MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2021-1-29 15:11:43 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。 此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少的EMI和减小的系统尺寸。

产品特点:
低电容的高速开关
高阻断电压和低RDS(on)
使用标准门极驱动器易于驱动
经过100%雪崩测试
最高结温为150°C
符合ROHS


应用
电动汽车充电
DC-AC逆变器
高压DC / DC转换器
开关电源
功率因数校正模块
马达驱动


电气特性:

电气特性

电气特性


电气特性(TJ=25℃,除非另有规定)
SymbolParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit
BVdsDrain-source     Breakdown VoltageId=250uA,Vgs=0V1200V
IdssZero Gate Voltage Drain CurrentVds = 1200V, VGs =0V, Tj=25°C100uA
IgssGate-body Leakage CurrentVds =0V ; VGs=10to 20V250nA
VGS(th)Gate Threshold VoltageVDs= VGs, lo=5mA24V
RDS(on)Static Drain-source On ResistanceVGs=20V, Id=30A80100mQ
RgGate ResistanceVGs=0V,f=1MHz5Q



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发表于 2021-1-29 15:47:30 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
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