乐鑫ESP-PSRAM16H规格书/datasheet

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ESP-PSRAM16H是16Mbit伪静态随机存储器(PseudoSRAM)，采⽤⾼性能⾼可靠性的CMOS⼯艺制造，⼯作电压为3.3V，最⾼⽀持133MHz的时钟频率。ESP-PSRAM16H可以通过串⾏外设接⼝(SPI)进⾏访问。如果应⽤程序需要更快的数据速率，则芯⽚也⽀持四线外设接⼝(QPI)。PSRAM芯⽚同时还⽀持对存储器的⽆限次读写。

ESP-PSRAM16H的管脚布局：

ESP-PSRAM16H的管脚布局

信号表：

管脚	信号类型	SPI模式	QPI模式
Vdd	电源	电源，3.3 Vo
Vss	接地	接地
CE#	输入	片选信号，低电平有效。当CE#=1时，芯片处于待机状态。
CLK	输入	时钟信号
SI/SIO[0]	I/O	串行输入	l/O[0]
S0/SI0[1]	I/O	串行输出	1/0[1]
SI0[2]	I/O	-	l/O[2]
SI0[3]	I/O	-	l/O[3]

上电初始化：
SPI/QPI接⼝包含⼀个⽤于启动⾃初始化的⽚上电压传感器。当VDD达到或⾼于最⼩稳定电平时，芯⽚需要150μs并且⽤户需要进⾏复位操作才能完成⾃初始化过程。从上电开始到150μs周期结束，CLK应保持低电平，CE#应保持⾼电平（以便跟踪在200mV以内的VDD），SI/SO/SIO[3:0]应保持低电平。150μs后，芯⽚可以正常运⾏。

接⼝描述：
1.地址空间
SPI/QPIPSRAM器件按字节寻址。16Mbit器件的有效地址为A[20:0]。
2.⻚⾯⼤⼩
⻚⾯⼤⼩为512字节。读写操作默认是wrap模式。
3.上电状态
PSRAM芯⽚上电后进⼊SPI模式。在进⾏芯⽚操作之前应将CE#拉⾼。
4.命令终⽌
要终⽌正在进⾏的读写操作并使芯⽚进⼊待机状态，需要在所有读写操作之后⽴即将CE#拉⾼，否则会阻塞内部刷新并导致存储故障。


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