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[乐鑫原厂资料] 乐鑫ESP-PSRAM64/ESP-PSRAM64H规格书/datasheet

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发表于 2021-3-9 16:34:54 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
ESP-PSRAM64ESP-PSRAM64H是64Mbit伪静态随机存储器 (Pseudo SRAM),采⽤⾼性能⾼可靠性的CMOS⼯艺制造。ESP-PSRAM64的⼯作电压为1.8V,⽀持⾼达144MHz的时钟频率;ESP-PSRAM64H的⼯作电压为3.3V,最⾼⽀持133MHz的时钟频率。跨越⻚⾯边界的突发操作的最⼤输⼊时钟频率为84MHz。这两种PSRAM芯⽚均可以通过串⾏外设接⼝ (SPI) 进⾏访问。如果应⽤程序需要更快的数据速率,则芯⽚也⽀持四线外设接⼝ (QPI)。PSRAM芯⽚同时还⽀持对存储器的⽆限次读写。本⽂档的内容适⽤于这两个PSRAM芯⽚,不同的地⽅会标示出来。

上电初始化
SPI/QPI接⼝包含⼀个⽤于启动⾃初始化的⽚上电压传感器。当Vcc达到或⾼于最⼩Vcc的稳定电平时,芯⽚需要150μs并且⽤户需要进⾏复位操作(⻅第8章)才能完成⾃初始化过程。从上电开始到150μs周期结束,CLK应保持低电平,CE#应保持⾼电平(以便跟踪在200mV以内的Vcc),SI/SO/SIO[3:0] 应保持低电平。150μs后,芯⽚可以正常运⾏。

Wrap边界切换操作
Wrap边界切换操作完成了芯⽚在线性突发模式 (CA[9:0]) 和32字节wrap模式 (CA[4:0]) 之间的切换。默认设置是线性突发模式。线性突发模式允许设备跨越⻚⾯边界。⻚⾯边界跨越对存储器控制器是不可⻅的,并且最⾼时钟限制在84MHz。表 4-1显示了两种模式下的字节顺序。

接⼝描述
1.地址空间
SPI/QPI PSRAM器件按字节寻址。64 Mbit器件的有效地址为A[22:0]。
2.⻚⾯⼤⼩
⻚⾯⼤⼩为1K (CA[9:0])。默认突发设置是以连续⽅式跨越⻚⾯边界的线性突发模式。但请注意,跨⻚边界的突发操作的最⼤输⼊时钟频率为84MHz。也可以通过wrap边界切换命令设置32字节 wrap (CA[4:0]) 模式,这种模式不允许跨越⻚⾯边界。
3.上电状态
PSRAM芯⽚上电后进⼊SPI模式。在进⾏芯⽚操作之前应将CE#拉⾼。


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发表于 2021-3-9 19:06:04 | 显示全部楼层 来自 广东省深圳市
谢谢分享乐鑫ESP-PSRAM64/ESP-PSRAM64H规格书
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发表于 2023-3-11 22:31:04 来自手机 | 显示全部楼层 来自 河南省
最近公司要更换存储器,感谢分享。
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发表于 2023-4-12 13:04:12 | 显示全部楼层 来自 浙江省温州市平阳县
谢谢分享乐鑫ESP-PSRAM64/ESP-PSRAM64H规格书
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发表于 2023-12-8 09:26:55 | 显示全部楼层 来自 山西省
谢谢分享乐鑫ESP-PSRAM64/ESP-PSRAM64H规格书
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发表于 2023-12-17 18:17:48 | 显示全部楼层 来自 广东省广州市
谢谢分享。。。。
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发表于 2024-1-3 12:00:25 | 显示全部楼层 来自 黑龙江省大庆市
谢谢分享乐鑫ESP-PSRAM64/ESP-PSRAM64H规格书
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发表于 2024-1-25 17:04:55 | 显示全部楼层 来自 上海市
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发表于 2024-2-22 15:20:52 | 显示全部楼层 来自 湖南省长沙市
这个芯片乐鑫是停产了吗? 怎么官网都找不到资料了?
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发表于 2024-3-7 23:09:10 | 显示全部楼层 来自 江苏省无锡市
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