三星内存KMGX6001BA-B514 MCP规格书/datasheet

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KMGX6001BA-B514是一种多芯片封装存储器，结合了32GB eMMC和24Gb（8Gb * 3）TDP LPDDR3SDRAM。SAMSUNG eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。 eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用行业标准MMC协议v5.1对内存进行的简单读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。 NAND区域（VDDF或VCC）需要3V电源电压，而MMC控制器则支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）。三星eMMC支持HS400以提高顺序带宽，尤其是顺序读取性能。使用eMMC有很多优点。它易于使用，因为MMC接口允许与带有MMC主机的任何微处理器轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离，因此主机对NAND的任何修订或修正都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的上市时间。eMMC的嵌入式闪存管理软件或FTL（闪存过渡层）可管理损耗均衡，坏块管理和ECC。这FTL支持Samsung NAND闪存的所有功能，并获得最佳性能。
KMGX6001BA原理框图：


KMGX6001BA特点：
1、eMMC
-嵌入式MultiMediaCard版本5.1兼容。
-SAMSUNG eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC 5.1功能：
-主要支持的功能：HS400，现场固件更新，缓存，命令队列，增强的选通模式，安全写保护，分区类型。
-不支持的功能：大扇区大小（4KB）。
-与以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，multi-eMMC系统）向后兼容。
-数据总线宽度：1位（默认），4位和8位。
-MMC I / F时钟频率：0〜200MHz
-MMC I / F引导频率：0〜52MHz
-电源：接口电源→VCCQ（1.70V〜1.95V或2.7V〜3.6V），存储器电源→VCC（2.7V〜3.6V）

2、LPDDR3 SDRAM
•双数据速率架构； 每个时钟周期两次数据传输
•双向数据选通（DQS_t，DQS_c），与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
•差分时钟输入（CK_t和CK_c）
•差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
•在正和负CK边沿上输入的命令和地址； 数据和数据掩码引用到DQS的两个边缘
•8个内部Banks可同时运行
•用于写入数据的数据掩码（DM）
•爆裂长度：8
•突发类型：顺序
•读写延迟：请参阅表45 LPDDR3 AC时序表
•每个突发访问都有自动预充电选项
•可配置的驱动强度




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2021-5-19 14:58 上传 [Datasheet]MV3224_DD_221F_11.5x13_KMGX6001BA-B514_Rev1.0_decrypted_nowatermark.pdf

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