三星内存KMRH60014A-B614数据手册/datasheet

bbu7j

KMRH60014A-B614是一种多芯片封装存储器，结合了64GB eMMC和32Gb（8Gb * 4）QDP LPDDR3 SDRAM.SAMSUNG eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。 eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用行业标准MMC协议v5.1对内存进行的简单读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。 NAND区域（VDDF或VCC）需要3V电源电压，而MMC控制器则支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）。三星eMMC支持HS400以提高顺序带宽，尤其是顺序读取性能。使用eMMC有很多优点。它易于使用，因为MMC接口允许与带有MMC主机的任何微处理器轻松集成。由于嵌入式MMC控制器将NAND技术与主机隔离，因此主机对NAND的任何修订或修正都是不可见的。这将导致更快的产品开发以及更快的上市时间。eMMC的嵌入式闪存管理软件或FTL（闪存过渡层）可管理损耗均衡，坏块管理和ECC。 FTL支持Samsung NAND闪存的所有功能，并实现最佳性能。
KMRH60014A-B614原理框图：


KMRH60014A-B614特点：
1、eMMC
嵌入式MultiMediaCard版本5.1兼容。
三星eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.1功能
-支持的功能：打包命令，缓存，丢弃，清理，关闭电源通知，数据标签，分区类型，上下文ID，实时时钟，动态设备容量，命令队列，增强的选通模式，安全写保护，HS200，HS400，字段 固件升级。
-不支持的功能：大扇区大小（4KB）
向后兼容以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，multi-eMMC系统）
数据总线宽度：1位（默认），4位和8位
MMC I/F时钟频率：0〜200MHz; MMC I/F引导频率：0〜52MHz
电源：接口电源→VDD（VCCQ）（1.70V〜1.95V或2.7V〜3.6V），存储器电源→VDDF（VCC）（2.7V〜3.6V）

2、LPDDR3 SDRAM
•双数据速率架构； 每个时钟周期两次数据传输
•双向数据选通（DQS_t，DQS_c），与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
•差分时钟输入（CK_t和CK_c）
•差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
•在正和负CK边沿上输入的命令和地址； 数据和数据掩码引用到DQS的两个边缘
•8个内部银行可同时运行
•用于写入数据的数据掩码（DM）
•爆裂长度：8
•突发类型：顺序
•读写延迟：请参阅表45 LPDDR3 AC时序表
•每个突发访问都有自动预充电选项
•可配置的驱动强度

引脚配置：



更多内容请下载附件查看

2021-5-21 17:47 上传 1_KMRH60014A-B614_221F_11.5x13_R05.pdf

文件大小:

2.12 MB

下载次数:

43

附件售价:

2 RD币  购买记录

本地下载 立即购买

16RD supports Paypal , Payment is calculated at the exchange rate of the day. Unable to download please contact 18902843661 (WhatsApp OR wechat number)

关于一牛网在微软浏览器(Microsoft Edge、IE浏览器)警报通告&解决方案!（无法下载直接更换浏览器即可）

*附件为作者发布，与本站无关，如有侵权，请联系客服删除

tianrenshui

谢谢分享三星内存KMRH60014A-B614数据手册

18865213997

感谢分享

心如止水中月

感谢分享资料

fortarchen

谢谢分享！