三星内存H9DA1GH25HAMMR规格参数/datasheet

拼博的佛

H9DA1GH25HAMMR采用1.8 V Vcc电源供电，并具有x16 I/O接口。其NAND单元为固态大容量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。内存被划分为可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该设备包含1024个块，由64页组成。编程操作允许在典型的200us内写入1056个字的页面，并且可以在典型的2.0ms内在128K字节块上执行擦除操作。页面中的数据可以每字节45ns周期时间读取。 I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。该接口可减少引脚数，并易于向不同的密度迁移，而无需重新布置占位面积。命令、数据和地址使用CE、WE、RE ALE和CLE输入引脚同步引入。片上编程/擦除控制器自动执行所有编程和擦除功能，包括脉冲重复（在需要时）以及内部验证和数据裕度。可以使用WP输入锁定修改操作。该芯片支持CE无关功能。该功能允许微控制器直接从NAND闪存设备中下载代码，因为CE转换不会停止读取操作。输出引脚R/B（漏极开路缓冲器）在每次操作期间都会向设备状态发出信号.在具有多个存储器的系统中，R/B引脚可以连接在一起以提供全局状态信号。即使是写入密集型系统也可以通过提供ECC来利用H27S1G6F2B系列扩展的100K编程/擦除周期的可靠性（纠错码）具有实时映射算法。复制回功能允许优化缺陷块管理：当页面编程操作失败时，数据可以直接编程到同一阵列部分内的另一个页面中，而无需耗时的串行数据插入阶段。允许复制回读后读出的数据该设备还包括额外的功能，如OTP/唯一ID区域、读取ID2扩展。


特点：
1、NAND Flash
●电源电压：Vcc = 1.7-1.95 V
●Memory Cell Array：(1 K + 32) Words x 64 pages x 1024 blocks
●页面大小：(1 K + 32 备用) Words
●块大小：(64 K + 2 K 备用) 字
●页面读取/编程：
  - 随机访问：25us（最大）
  - 顺序访问：45ns（分钟）
  - 页面编程时间：200us（典型值）
●COPY BACK PROGRAM MODE：快速页面复制，无需外部缓冲
●FAST BLOCK ERASE：块擦除时间：2.0ms (typ.)
●状态寄存器
●数据保留：100,000 次编程/擦除循环（1bit/528byte ECC）；10 年数据保留

2、DDR SDRAM
●标准 SDRAM 协议
●时钟同步操作
●多组操作：内部 4 组操作
●VDD / VDDQ = 1.8V
●存储单元阵列：4Mb x 4Bank x 16 I/O
●LVCMOS 兼容 I/O 接口
●可编程突发长度：1、2、4、8 或整页
●可编程突发类型：顺序或交错
●可编程CAS延迟
●可编程的驱动强度

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DDR5的资料有没有

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YOYO-小天

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