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[雷卯产品规格书] 为什么高速信号ESD设置要flow-through

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发表于 2021-6-3 17:02:11 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
防静电需求
目前的芯片工艺越来越精密,主IC都到纳米级别了,具有极薄光刻技术和极易受到 ESD 影响的栅极氧化物的先进技术,所以IC的防静电能力主要是保护自身在生产运输和安装过程中不受损坏。

其次具有高元件密度的 PCB 的集成电子板有助于 ESD 耦合和传播,所以整机中ESD现象时常发生。

为什么IC 制造商不愿意制造强大的嵌入式 ESD 保护二极管,因为它们需要大量先进且昂贵的技术的有效面积,防静电不同于别的芯片工艺,静电瞬间电流有数十安培,必须通过有效的芯片面积来防护,不是尖端工艺能解决的。

高速信号芯片防静电特点:
ESD 保护器件的寄生电容必须足够低,以允许高速信号传输而不会降级。
ESD 保护器件的高寄生电容会增加过多的信号上升/下降时间并阻止通信,从而丢包。
以下是以电容置于高速信号线对信号的影响图形。
1.jpg
如何保证线路上的寄生电容足够小,而且走线也不影响差分信号阻抗匹配
首先要选择电容足够小的ESD器件,其次是要合理布线。
在尽可能情况下,选择DFN封装的ESD器件,如雷卯电子ULC0524P  ULC0511CDN这类超低电容的器件。

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