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[资料] 美光MT29C4G48MAYBAAKS/MT29C4G96MAYBACKD-5 WT等系列内存芯片datasheet

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发表于 2021-7-12 10:49:18 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
本文档介绍的内存芯片型号主要包括MT29C4G48MAYBAAKS-5WT,MT29C4G48MAZBAAKS-5WT,MT29C4G96MAYBACKD-5WT,MT29C4G96MAZBACKD-5WT,MT29C8G96MAYBADKD-5WT,MT29C8G96MAZBADKD-5WT。

美光MCP产品在单个MCP中结合了NAND闪存和移动LPDRAM设备。这些产品针对具有低功耗、高性能和最小封装尺寸设计要求的移动应用。NAND闪存和MobileLPDRAM器件也是美光分立存储器产品组合的成员。NAND闪存和移动LPDRAM器件采用单独的接口(无共享地址、控制、数据或电源球)封装。这种总线架构支持与具有单独NAND闪存和移动LPDRAM总线的处理器的优化接口。NAND闪存和移动LPDRAM设备具有单独的内核电源连接并共享一个公共接地(即,VSS在两个设备上连接在一起)。该设备的总线架构还支持独立的NAND闪存和移动LPDRAM功能,无需考虑设备交互。
1.jpg

特征
•美光®NAND闪存和LPDDR组件
•符合RoHS标准的“绿色”封装
•独立的NAND闪存和LPDDR接口
•节省空间的多芯片封装
•低电压操作(1.70–1.95V)
•无线温度范围:–25°C至+85°C

NAND闪存特定功能
•页面大小
–x8:2112字节(2048+64字节)
–x16:1056个字(1024+32个字)
•块大小:64页(128K+4K字节)

移动LPDDR特定功能
•无需外部参考电压
•没有最低时钟速率要求
•1.8VLVCMOS兼容输入
•可编程突发长度
•部分阵列自刷新(PASR)
•深度掉电(DPD)模式
•可选择的输出驱动强度
•支持状态寄存器读取(SRR)

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发表于 2021-7-29 11:18:30 来自手机 | 显示全部楼层 来自 湖北省武汉市
不能说的秘密 发表于 2021-7-12 10:49
本文档介绍的内存芯片型号主要包括MT29C4G48MAYBAAKS-5WT,MT29C4G48MAZBAAKS-5WT,MT29C4G96MAYBACKD-5WT,MT ...

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发表于 2021-10-5 15:54:23 | 显示全部楼层 来自 山西省吕梁市
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发表于 2022-4-10 21:05:42 | 显示全部楼层 来自 广东省广州市
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