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[资料] 宏旺MX29LV160D系列闪存规格书/datasheet

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发表于 2021-8-5 10:56:50 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
MX29LV160DT/B是一种16Mbit闪存,可以组织为2M bytes,每个8位或1M words,每个16位。这些器件通常使用3V电源输入在2.7V至3.6V的电压范围内工作。存储器阵列被分成32个相等的64千字节块。但是,取决于用作顶部引导或底部引导设备的设备。顶部或底部最外面的一个扇区分别是该设备的引导块。MX29LV160DT/B采用48引脚TSOP、48球XFLGA/WFBGA和48球CSP(TFBGA)JEDEC标准封装。这些封装提供有铅和符合RoHS规范的无铅版本。用于该设备的软件算法也符合单电源设备的JEDEC标准。这些闪存部分可以在系统中或在市售的EPROM/闪存编程器上进行编程。
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特征
•字节/字模式可切换
-2,097,152x8/1,048,576x16
•部门结构
-16K字节x1、8K字节x2、32K字节x1、64K字节x31
-提供扇区保护功能,防止在受保护扇区内进行编程或擦除操作
-提供芯片解除保护功能以允许更改代码
-提供临时扇区解除保护功能,用于更改先前受保护扇区的代码
•电源操作
-Vcc2.7至3.6伏,用于读取、擦除和编程操作
•闩锁保护至100mA,从-1V到1.5xVcc
•低Vcc写禁止:Vcc≤Vlko
•符合JEDEC标准
-引脚和软件兼容单电源闪存
•功能兼容MX29LV160C设备

性能
•高性能
-快速访问时间:70ns
-字编程时间:11us/字(典型)
-快速擦除时间:0.7s/sector,15s/chip(典型)
•低功耗
-低有效读取电流:5mA(典型值)在5MHz
-低待机电流:5uA(典型值)
•典型的100,000次擦除/编程周期
•20年数据保留

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