SK海力士H9TA4GH2GDACPR MCP内存规格书/datasheet

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SK hynix H9TA4GH2GDACPR NAND Flash 提供 1.8 Vcc 和 VccQ 电源，以及 x16 I/O 接口。其 NAND 单元为固态大容量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。存储器被分成可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。根据设备是否具有 x16 总线宽度，页面大小为（1024+64 个空闲）字。每个块可以在 ECC（纠错码）开启的情况下编程和擦除多达 50,000 个周期。为了延长 Nand Flash 设备的使用寿命，ECC 的实现是强制性的。该芯片支持 CE# don't care 功能。此功能允许微控制器直接从 NAND 闪存设备下载代码，因为 CE# 转换不会停止读取操作。除此之外，由于多平面架构，可以编程 2 页一次（每个平面一个）或一次擦除 2 个块（同样，每个平面一个）。因此，多平面架构允许编程时间减少 40%，擦除时间减少 50%。在多平面操作的情况下，在编程/擦除时间方面，在 1.8V 应用程序上有很小的退化。传统和 ONFI 1.0 协议都支持多平面操作。页面中的数据可以在 45nsec (1.8V版本）每个字节的循环时间。 I/O 引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。该接口允许减少引脚数并轻松迁移到不同的密度，而无需重新安排占用空间。命令、数据和地址使用 CE#、WE#、ALE 和 CLE 输入引脚同步引入。片上编程/擦除控制器自动执行所有读取、编程和擦除功能，包括脉冲重复（在需要时）以及内部验证和裕度数据。


特点：
1.NAND闪存
● 开放NAND FLASH 接口(ONFI) 1.0 兼容
● 电源电压
  - VCC/VCCQ = 1.7V ~ 1.95V
● 存储单元阵列（带备件）
  - 页面大小：（1K+64spare）字
  - 块大小：（64K+4K）字
  - 平面大小：2048blocks
  - 设备大小：4096blocks
● 页面读取/程序时间
  - 随机读取时间(tR) : 30us(Max)
  - 顺序存取时间：45ns(Min)
  - 页面程序 : 300us(Typ)
● 块擦除
  - 块擦除时间：3.5ms（典型值）
● 命令集
  - ONFI1.0 兼容命令集
  - 读取唯一 ID
2.LPDDR2 S4B
● VDD1 = 1.8V（1.7V 至 1.95V）
● VDD2、VDDCA 和 VDDQ = 1.2V（1.14V 至 1.30）
● HSUL_12 接口（高速无端接逻辑 1.2V）
● 命令、地址和数据总线的双数据速率架构；
- 除了 CS_n、CKE 之外的所有控制和地址都在时钟的上升沿和下降沿锁存
- CS_n，CKE 在时钟的上升沿锁存
- 每个时钟周期两次数据访问
● 差分时钟输入（CK_t、CK_c）
● 双向差分数据选通（DQS_t、DQS_c）
- 与双向差分数据选通 (DQS_t, DQS_c) 对齐的源同步数据事务
- 读取操作时，数据输出与数据选通 (DQS_t, DQS_c) 的边缘对齐
- WRITE 操作时，数据输入与数据选通 (DQS_t, DQS_c) 的中心对齐
● DM 在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
● 可编程 RL（读取延迟）和 WL（写入延迟）
● 可编程突发长度：4、8 和 16
● 支持自动刷新和自刷新
● 支持所有bank 自动刷新和每bank 自动刷新
● 自动 TCSR（温度补偿自刷新）
● PASR (Partial Array Self Refresh) by Bank Mask 和 Segment Mask
● DS（驱动强度）
● DPD（深度掉电）
● ZQ（校准）

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ganjun2001

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wangxian

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paummo

thanks for sharing

paummo

been looking into mcp ,this will help alot, hopefully

VX:17301972469

学习了  谢谢