意法半导体STL100N6LF6 N沟道60V/3.3mΩ功率MOSFET规格书/datasheet

5682ssa

STL100N6LF6是使用第6代STripFET™DeepGATE™技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。 由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出最低的RDS(on)。

特征
• 低栅极电荷
• 极低的导通电阻
• 高坚固性

绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDS	Drain-source voltage	60	V
VGS	Gate-source voltage	±20	V
ID(1)	Drain current (continuous) at Tc = 25 °C	130	A
ID (2)	Drain current (continuous) at TpCb = 25 °C	25	A
ID (2)	Drain current (continuous) at Tpcb=100 °C	18	A
IDM(3)	Drain current (pulsed)	100	A
PTOT (2)	Total dissipation at TpCb = 25 °C	4.8	W
Tstg	Storage temperature	-55 to 175	°C
Tj	Operating junction temperature

1.该值是根据Rthj-c评定的
2.该值是根据Rthj-pcb额定的
3.脉冲宽度受安全工作区限制

电气特性（TJ=25°C，除非另有说明）
1.On/off states

Symbol	Parameter	Test conditions	Min.	Typ-	Max.	Unit
V(BR)DSS	Drain-source breakdown voltage	Id = 1 mA, VGS= 0	60			V
bss	Zero gate voltage drain current (VGs=0)	VDs =60V			1	μA
		VDS = 60 V, Tc =125 °C			10	μA
Igss	Gate body leakage current (Vds=0)	VGs = ±20V			±100	nA
VGS(th)	Gate threshold voltage	Vds= Vgs，Id = 250 “A	1		2.5	V
RDS(on)	Static drain-source on-resistance	VGs=10 V, lD=11 A		3.3	4.4	mΩ
		VGs=4.5V, Id=11 A		4.3	5.5	mΩ

电气特性（曲线）


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2021-11-6 10:24 上传 stl100n6lf6.pdf

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