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意法半导体STL100N1VH5 N沟道12V/0.0022Ω/25A功率MOSFET datasheet

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发表于 2021-11-6 11:46:46 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL100N1VH5是一款12V N沟道STripFET™V功率MOSFET,旨在实现极低的导通电阻,同时提供同类最佳的品质因数(FOM)之一。
1.jpg
特征:
■ RDS(on) * Qg 行业基准
■ 极低的导通电阻RDS(on)
■ 非常低的开关栅极电荷
■ 高坚固性
■ 低栅极驱动功率损耗

绝对最大额定参数
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage (Vqs = 0)12V
VGSGate-source voltage±8V
IdDrain current (continuous) at Tq = 25 °C100A
IdDrain current (continuous) at Tq = 100 °C62.5A
IdDrain current (continuous) at Tc = 25 °C25A
IdDrain current (continuous) at Tq=1 00°C15.6A
IdmDrain current (pulsed)100A
PtotTotal dissipation at Tc = 25°C60W
PTOTTotal dissipation at Tc = 25°C4W
TjDerating factor0.03W/°C
TstgOperating junction temperature Storage temperature-55 to 150°C


电气特性(TCASE=25°C,除非另有规定)
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ-Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageId = 250μA, Vgs= 012V
bssZero gate voltage drain current (Vqs = 0)Vds = max rating, VDS = max rating @125 °C1 10μA
IgssGate body leakage current (VDs = 0)Vgs = ±8V±100nA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS= Vgs,g = 250μA0.5V
RDS(on)Static drain-source on resistanceVgs=4.5V,Id=12.5A Vgs=2.5V,Id=12.5A0.0022 0.00320.003 0.004Ω


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