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意法半导体STL80N75F6 N沟道75V/4.5mΩ功率MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2021-11-18 15:24:03 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL80N75F6是使用STripFET™F6技术开发的N沟道功率MOSFET,具有新的沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中都表现出非常低的RDS(on)。

特征
• 极低的导通电阻
• 极低的栅极电荷
• 高雪崩坚固性
• 低栅极驱动功率损耗
1.jpg

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VdsDrain-source voltage75V
VGSGate-source voltage±20V
ID(1)Drain current (continuous) at Tc = 25 °C80A
ID(2)Drain current (continuous) at TpCb = 25 °C18A
ID(2)Drain current (continuous) at Tpcb=100 °C11A
IDM(2)(3)Drain current (pulsed)72A
PTOT (1)Total dissipation at Tc = 25 °C80W
PTOT (2)Total dissipation at Tpcb = 25 °C4W
TstgStorage temperature-55 to 175°C
TJOperating junction temperature

1.该值是根据Rthj-c评定的
2.该值是根据Rthj-pcb额定的
3.脉冲宽度受安全工作区限制

电气特性(TJ = 25 °C,除非另有说明)
On/off states
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ-Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageId = 1 mA, Vgs= 075V
IDSSZero gate voltage drain current (VGS = 0)VDS = 75 V, VDS=75V, Tc = 125 °C1,10ma
IGSSGate body leakage current (Vds = 0)Vgs = ±20V±100nA
VGS(th)Gate threshold voltageVds= Vgs,Id = 250μA24V
RDS(on)Static drain-source on-resistanceVGs=10V,Id=9A4.55.5


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2021-11-18 15:23 上传
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