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意法半导体STL35N6F3功率MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2021-12-17 17:28:42 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL35N6F3是采用STMicroelectronics的STripFET™III技术生产的N沟道增强型功率MOSFET,该技术专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷,以提供卓越的开关性能。

特点:
■ N沟道增强模式
■ 100% 额定雪崩
■ 低栅极电荷
■ 极低的导通电阻
1.jpg

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage60V
VgsGate-source voltage±20V
Id⑴Drain current (continuous) at Tc = 25 °C35A
Id⑴Drain current (continuous) at Tc = 100 °C25A
Id⑵Drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C10A
Id⑵Drain current (continuous) at Tpcb=100 °C7A
Idm⑶Drain current (pulsed)100A
PTOT ⑴Total dissipation at Tc = 25 °C80W
PTOT ⑵Total dissipation at Tpcb = 25 °C5W
TstgStorage temperature-55 to 175°C
TjOperating junction temperature


电气特性(TJ = 25 °C 除非另有说明)
开/关状态
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ-Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageID = 250 µA, VGS= 060V
IDSSZero gate voltage drain current (VGS = 0)VDs = 60 V, VDS=60 V, Tc = 125 °C1 10µA
IGSSGate body leakage current (VDs = 0)VGS = ±20 V±100nA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS= VGS, ID = 250 µA24V
RDS(on)Static drain-source on-resistanceVGS= 10 V, ID= 10 A0.0190.022Ω


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2021-12-17 17:28 上传
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