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[原创] ASEMI场效应管7N60,7N60详细参数,7N60应用领域

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发表于 2021-12-27 16:12:55 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
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7N60详细参数:
型号:ASEMI场效应管7N60
漏源电压(VDSS):600V
栅源电压(VGSS):±30V
持续漏极电流(ID):7A
脉冲漏极电流(IDM):28A
雪崩电流(IAR):7A
工作结点和存储温度范围(TJ,TSTG):-55 to +150℃
最大功耗(PD):155W
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
正向门体漏电流(IGSSF):10uA
栅源阈值电压(VGS(th)):4V
漏源导通电阻(RDS(on)):1.2Ω
输入电容(Ciss):1460pF
输出电容(Coss):236pF
开启延迟时间(td(on)):13ns
关断延迟时间(td(off)):26ns
总栅极电荷(Qg):32nC
连续二极管正向电流(IS):7A
脉冲二极管正向电流(ISM):28A
二极管正向电压(VSD):1.5V
反向恢复时间(trr):648ns
反向恢复电荷(Qrr):4.8uC
7N60.jpg
7N60特征:
低栅极电荷
低输入电容
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt功能

7N60应用领域:电源、网络、通讯、汽车电子、工业控制、医疗设备、LED照明、HID整流器、传感器、语音分离器、隔离器、RJ45、安防、电机、无线充电器、蓝牙模块、消费电子、计算机和周边产品等行业。
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