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意法半导体STL25DN10F7双N沟道100V,0.068Ω,5A功率MOSFET datasheet

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发表于 2021-12-31 11:00:01 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL25DN10F7采用ST专有的STripFET™技术的第7代设计规则,具有新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(on)。
1.jpg

STL25DN10F7特征:
■ N沟道增强模式
■ 低栅极电荷
■ 100%雪崩额定值
■ 175°C结温

应用
■ 切换应用程序
■ 汽车

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage (Vqs = 0)100V
VGSGate-source voltage±20V
ID (1)Drain current (continuous) at Tc = 25 °C20A
ID (1)Drain current (continuous) at Tq= 100 °C15A
ID (2)Drain current (continuous) at Tpcb= 25 °C5A
ID (2)Drain current (continuous) at Tpcb= 100 °C3.7A
IDM (2)(3)Drain current (pulsed)20A
PTOT(1)Total dissipation at Tc = 25 °C60W
PTOT(2)Total dissipation at = 25 °C4W
Tj 1~stgOperating junction temperature storage temperature-55 to 175°C


测试电路:
2.jpg

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2021-12-31 10:29 上传
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