特点
1、eMMC
•兼容eMMC5.1（向后兼容eMMC4.5&eMMC5.0）
•总线模式
-数据总线宽度：1bit（默认）、4bits、8bits
-数据传输率：高达400MB/s(
HS400)
-MMCI/F时钟频率：0~200MHz
-MMCI/F启动频率：0~52MHz
•工作电压范围
-Vcc(
NAND):2.7V-3.6V
-Vccq(控制器):1.7V-1.95V/2.7V~3.3V
•温度
-操作(-25℃~+85℃)
-无操作存储(-40℃~+85℃)
•其他
-本产品符合RoHS指令
•支持的功能
-HS400、HS200
-HPI、BKOPS、BKOP运行控制
-打包CMD，CMD排队
-缓存、缓存屏障、缓存刷新报告
-分区、RPMB、RPMB吞吐量提高
-丢弃、修剪、擦除、消毒
-写保护，安全写保护
-锁定/解锁
-PON，睡眠/唤醒
-可靠的写入
-引导功能，引导分区
-硬件/软件复位
-现场固件更新
-可配置的驱动强度
-健康（智能）报告
-生产状态意识
-安全移除类型
-数据选通引脚，增强型数据选通
2、LPDDR3
●VDD1 = 1.8V（1.7V 至 1.95V）
●VDD2、VDDCA 和 VDDQ = 1.2V（1.14V 至 1.30）
●HSUL_12 接口（高速未端接逻辑 1.2V）
●命令、地址和数据总线的双倍数据速率架构；
- 除了 CS_n 和 CKE 之外的所有控制和地址都在时钟的上升沿和下降沿锁存
- CS_n, CKE 在时钟上升沿锁存
- 每个时钟周期两次数据访问
●差分时钟输入 (CK_t, CK_c)
●双向差分数据选通 (DQS_t, DQS_c)
- 与双向差分数据选通（DQS_t、DQS_c）对齐的源同步数据事务
- 读取操作时，数据输出与数据选通（DQS_t，DQS_c）的边缘对齐
- 写入操作时，数据输入与数据选通（DQS_t，DQS_c）的中心对齐
●DM 掩码在数据选通的上升沿和下降沿写入数据
●可编程 RL（读取延迟）和 WL（写入延迟）
●可编程突发长度：8
●支持自动刷新和自刷新
●支持所有银行自动刷新和每银行自动刷新
●自动 TCSR（温度补偿自刷新）
●PASR (Partial Array Self Refresh) by Bank Mask 和 Segment Mask
●DS（驱动强度）
●ZQ（校准）
●ODT（
芯片端接）
功能框图
16GB(x8) eMMC Flash
SK海力士eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。eMMC内置智能控制器，管理接口协议、磨损均衡、坏块管理、垃圾回收和ECC。eMMC保护数据内容免受主机突然断电故障。eMMC兼容JEDEC标准eMMC5.1规范。
eMMC 新特性（eMMC5.0 和 eMMC5.1）
eMMC 支持 HS400 信令，通过 200MHz DDR 时钟频率实现 400MB/s 的总线速度。 HS400 模式仅支持 8 位总线宽度和 1.8V Vccq。 由于速度的原因，主机可能需要有一个可调节的采样点才能通过 DS 引脚可靠地接收传入数据（读取数据和 CRC 响应）。 eMMC 最多支持 5 个驱动器强度。
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已绑定手机
发表于 2022-2-14 17:00
